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目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc289147682 1. 背景 PAGEREF _Toc289147682 \h 2
目 录
HYPERLINK \l _Toc289147683 2. 蓝宝石晶体的应用 PAGEREF _Toc289147683 \h 2
HYPERLINK \l _Toc289147684 2.1 透红外窗口材料 PAGEREF _Toc289147684 \h 5
HYPERLINK \l _Toc289147685 2.2 微电子领域的衬底基片 PAGEREF _Toc289147685 \h 7
HYPERLINK \l _Toc289147686 2.2.1 半导体GaN的外延衬底基片 PAGEREF _Toc289147686 \h 7
HYPERLINK \l _Toc289147687 2.2.2 SOS微电子电路 PAGEREF _Toc289147687 \h 8
HYPERLINK \l _Toc289147688 2.2.3 ZnO、InN及其它外延膜衬底基片 PAGEREF _Toc289147688 \h 8
HYPERLINK \l _Toc289147689 2.3 激光基质、光学元件及其它用途 PAGEREF _Toc289147689 \h 10
HYPERLINK \l _Toc289147690 3. 蓝宝石单晶的生长方法 PAGEREF _Toc289147690 \h 10
HYPERLINK \l _Toc289147691 3.1 凯氏长晶法(Kyropoulos method) PAGEREF _Toc289147691 \h 11
HYPERLINK \l _Toc289147692 3.2 柴氏拉晶法(Czochralski method) PAGEREF _Toc289147692 \h 13
HYPERLINK \l _Toc289147693 3.3 定边膜喂法(Edge-defined Film-fed Growth, EFG) PAGEREF _Toc289147693 \h 14
HYPERLINK \l _Toc289147694 3.4 热交换法(Heat Exchanger Method) PAGEREF _Toc289147694 \h 15
HYPERLINK \l _Toc289147695 3.5 温度梯度法、坩埚下降法以及垂直水平温度梯度冷却法 PAGEREF _Toc289147695 \h 16
HYPERLINK \l _Toc289147696 3.5.1 温度梯度法(Temperature gradient technique, TGT) PAGEREF _Toc289147696 \h 16
HYPERLINK \l _Toc289147697 3.5.2 坩埚下降法(Vertical Gradient Freeze method, VGF) PAGEREF _Toc289147697 \h 18
HYPERLINK \l _Toc289147698 3.5.3 垂直水平温度梯度冷却法 PAGEREF _Toc289147698 \h 19
HYPERLINK \l _Toc289147699 3.6 冷心放肩微量提拉法(SAPMAC) PAGEREF _Toc289147699 \h 20
HYPERLINK \l _Toc289147700 3.7 蓝宝石晶体生长技术比较 PAGEREF _Toc289147700 \h 22
HYPERLINK \l _Toc289147701 4. 原料、设备与生产流程 PAGEREF _Toc289147701 \h 23
HYPERLINK \l _Toc289147702 4.1 原料 PAGEREF _Toc289147702 \h 23
HYPERLINK \l _Toc289147703 4.1.1 蓝宝石级高纯氧化铝 PAGEREF _Toc289147703 \h 23
HYPERLINK \l _Toc289147704 4.1.2 坩埚和保护气氛 PAGEREF _Toc289147704 \h 28
HYPERLINK \l _Toc289147705 4.2 蓝宝石晶体生长炉 PAGEREF _Toc289147705 \h 30
HYPERLINK \l _Toc289147706 4.2.1 乌克兰欧米茄公司(Omega Crystals) PAGEREF _Toc2891477
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