1 半导体材料及二极管 习题.pptVIP

1. 雪崩击穿与齐纳击穿的本质区别是什么？ 2. 哪些因素决定着二极管的开启电压？ * * 第1章 习题解题方法指导 解： 画出直流等效电路（利用开 路、短路法建立） 直流通路图画法： 电容。 电感。 直流通路图 1.8 二极管电路如图1.8所示，设二极管的正向导通电压 为0.7V，电容C1和C2容量足够大，对信号可视为短 路，vi(t)=sinωt（mV）。 （1）试画出直流等效电路和交流等效电路； （2）求输出电压vo的值。 采取上述方法，剩余的电路，即为 直流等效电路， 直流通路图 即---直流通路图 2. 画出交流等效电路（利用开 路、短路法，剩余电路） 交流通路画法: 交流通路图 4. 根据交流通路图求交流输出电压 vo 1.15 稳压二极管电路如图1.15所示，已知稳压管的稳定 电压Vz=6V，动态电阻rz=10Ω，输入电压的标称值 VI为10V，但有±1V的波动。 （1）当RL=200Ω时，试求标称电压下流过稳压管的电 流Iz和输出电压Vo。在输入电压波动时，输出电压 的变化量ΔVo有多大？ （2）当RL=50Ω时， Iz =？ Vo =？ 解： （1）假设稳压二极管开路，计算其 开路端电压VO是否大于VZ稳压值， 如果大于，则判定处于稳压状态。 稳压管稳压。 （2）画出稳压状态下动态电路图 解Vo的方式有两种： [1] 精细算法求解；[2] 估算法求解 [1] 精细算法求解 ①. 根据KVL和VCR求Vo ②. 根据KVL和VCR求IZ ③.输入电压的波动——交流峰峰值状态——交流通路图 ①.画出稳压状态下动态电路图 [2] 估算法求解 ④. 待求电压ΔVo=串联分压系数×输入电压ΔVI ②. 根据KVL和VCR求IZ ③. 并联电压相等求Vo ④. 画出交流通路图 ⑤. 化简电路 ⑥. 利用ΔVo=串联分压系数×输入电压ΔVI 当 RL=50Ω时，首先用开路稳压管法，判定能否稳压！ 所以，稳压管处于截止状态，IZ≈0 思考题 ①雪崩击穿——发生条件：大多发生在掺杂浓度较低、空间电荷层较宽、反向偏压较高的PN结中；形成原因：碰撞电离。少数载流子在较高的反偏电压加速下，获得很大的动能足以把空间电荷区内共价键的价电子撞出，由于阻挡层较宽，碰撞电离的机会增多，使载流子数目剧增，反向电流急剧增大，造成雪崩击穿。雪崩击穿电压具有正的温度系数。 ②齐纳（Zener）击穿——发生条件：发生在掺杂浓度较高、PN结较薄、反向偏压较小的PN结中；形成原因：场致激发。由于空间电荷区较窄，即使不大的反向偏压也会建立起很强的电场，该电场可直接将共价键的价电子拉出，使载流子数目剧增，反向电流急剧增大，造成齐纳击穿。齐纳击穿电压具有负的温度系数。 思考题 Vth的大小与材料、温度、工艺等因素有关。 计算公式：Vth=(KT/q)×ln(Na×Nd/Ni2)，K是波尔兹曼常数1.38E-23，T是温度300K，q是单个电子的电荷1.6E-19，Na和Nd是掺杂载流子密度1E15 到1E17， Ni是材料的本征载流子密度。 势垒电容是相应于多子电荷变化的一种电容效应，因此势垒电容不管是在低频、还是高频下都将起到很大的作用（与此相反，扩散电容是相应于少子电荷变化的一种电容效应，故在高频下不起作用）。 3.变容二极管必须工作在反偏状态，为什么？ 巧用开路、短路法。 *