单电子隧道效应.pptVIP

* * 单电子隧道效应 下面简单介绍几个概念： 单电子隧道由下面几项构成： 金属+一层氧化膜+金属； N：正常的金属；I：一层氧化膜；S：超导金 属 费米能级： 正常态时，电子占有的最高能级。 能隙： 能量的间隙。能隙存在于 费米能级 的两侧。用 表示，2 =3.5KTc 一般量子力学的势垒穿透问题： 下面用一图来形象的说明。假象在金属与金属之间有一堵墙，当一电子以速度V接近墙时，它的动能只能转化为势能U1，而墙的势能为U，U1〈U，所以电子穿不过墙，而在量子力学中，电子具有波离二象性，当电子接近墙时，振幅衰减，当穿过势垒以后，振幅仍存在，穿透系数T=穿后功率/穿前功率 氧化膜的厚度要有一定的限度； X U U1 E V 半导体模型表示法：在费米能级附近电子的态密度N，Ns(E)=Nn(0) E/(E*E- * ) 当T=0时： 费米能级Ef 画横线表示充满电子。 当T！=0时： 温度升高，一部分电子跑到费米能级以上。 下面开始定性的介绍几种隧道结； 1：N—I—N隧道结： N-I-N i U 电流电压特性曲线。 2：S—I—N隧道结 （1）：T=0时 A：U=0 Ef 当电压为0时，右边的费米能级与左边的一样高，电子不可能从右到左，所以不存在电流。 B：0〈U〈 /e Ef 此时电子仍无法移动，所以电流为0 Ef C:U>= /e: Ef Ef 此时右边的费米能级降低到左边能隙的下面，左边的电子将向右移动，所以形成电流。 它的电压与电流特性曲线： /e S-I-N N-I-N i U (2):T!=0 A: U=0: Ef Ef 电压为0，左右电子不能互动，电流为0 B：0〈U〈 /e Ef Ef 右边的电子不可能移到左边的能隙之中，所以电流仍为0 C: U>= /e Ef Ef 此时右边的费米能级降到左边能隙以下，所以发生电子的移动，产生电流。 它的电压与电流特征曲线： S-I-N N-I-N i U /e 3: S---I---S隧道结 （1） T=0 A：U=0 Ef 电压为0，费米能级等高，电流为0 Ef B： 0〈U〈2 /e Ef Ef 电子正对着能隙，不能移动，电流为0