2双极型晶体管.ppt

Part 6 双极型晶体管 §6.1 晶体管基本结构 2.基本结构及类型 §6.2 晶体管直流放大机理 2.载流子输运过程 §6.3 均匀基区晶体管直流伏安特性方程 # 特性方程物理意义： §6.4 均匀基区晶体管输出短路电流放大系数 #方块电阻物理意义 §6.5 缓变基区晶体管直流放大系数 作业 基区扩展效应 §6.7 晶体管频率特性 # 充电时常数分析： §6.8 晶体管开关特性 §6.9 异质结晶体管 双极晶体管基本结构与原理；*双极晶体管直流放大特性；*双极晶体管频率特性；* 异质结双极晶体管(HBT)； 一、具有放大功能的晶体管的结构与偏置条件 二、晶体管载流子输运过程 三、放大能力分析 四、I-V方程求解思路 五、特性曲线分析 六、I-β曲线分析 七、异质结晶体管 异质结晶体管基区高掺杂，即使基区非常窄，仍然可以 大大减小基区电阻；所以最高振荡频率fmax将明显增大。 2.最高振荡频率 NB rb fmax 2.特征频率 发射区掺杂浓度可以降低，减小了发射结势垒电容； 基区宽度可以很窄(满足fmax)，从而减小了基区渡越时间. fT 基区禁带渐变，产生少子加速场，基区渡越时间进一步减小。如：发射结侧禁带宽为Ege，集电结侧为（Ege-ΔEgb），那么基区等效电场强度为ΔEgb／qwb。 若ΔEgb=0.2eV，wb=5×10‐6cm，则电场强度可达4×104v/cm。同质结缓变基区晶体管中基区掺杂浓度产生的自建电场一般在2~6×103v/cm，比前者约小一个数量级。 所以异质结晶体管特征频率进一步得到提高。 # 特征频率： 4.其它特性 基区高掺杂，同时还改善了下述特性 -- 晶体管Early电压高，提高线性度； -- 有效抑制了大注入效应； -- 降低了器件的热噪声。 5.双异质结晶体管 --- 晶体管进入饱和状态时，可以阻止空穴从基区向集电区的注入，大大减少集电区的贮存电荷，减小储存时间，提高晶体管的开关速度； --- 提高集电结雪崩击穿电压，原因是宽禁带材料临界击穿电场高； --- 结构的对称性为晶体管在正反二个方向对称工作及集成电路设计提供了灵活性 。 四、异质结晶体管技术 1. Si基异质结晶体管--Si1-xGex fT --115GHz； fmax --150GHz。 2002.12: fT-- 350GHz 2.GaAs基异质结晶体管--AlxGa1-xAs Eg=1.424 + 1.247x ( x 0.45) Eg=1.424 +1.247 + 1.147(x–0.45)2 (x 0.45) 作业： 1.试叙述晶体管交流载流子输运过程及电流放大系数下降的 机理； 3.试叙述HBT交直流特性好的根本原因，并简要说明其特征 频率fT 与最高振荡频率高的机理。 xje xjc 1.背靠背pn结； 2.基区宽度小于基区少子扩散长度； 3.发射区掺杂浓度高于基区掺杂。 4.偏置： 放大：发射极正偏，集电极反偏。 饱和：发射极正偏，集电极零偏。 截止：发射极反偏，集电极反偏。 IE = InE + IpE IC = InC + ICBO IB =IpE + IVB - ICBO IVB = InE - InC 1.直流 2.交流 直流载流子输运； 势垒电容CT； 扩散电容CD； 势垒区宽度； 以发射结交流信号上升为例： 交流信号叠加在直流信号上； 势垒区变窄； 边界少子浓度提高 iCTe iCDee ipe τe=reCTe τe1=reCDee iCDeb τeb=reCDeb τd=xmc/2vs IVR τC=rCSCTc E B C rCS 用电流放大系数(电流增益)表征。通常有共基极和共射极电流放大系数。 1. 共基极电流放大系数---α0表示 A. γ：发射效率 B. β*基区输运系数： 1 2. 共射极电流放大系数---β0表示 or 1 取：μpe=μpb，μnb=μne 与均匀基区晶体管结果相同，其物理意义也相同 三、基区输运系数 少子渡越基区时间 基区少子寿命 复合几率 η=0时,1/λ=1/2 ,即为均匀基区晶体管 四、输出短路电流放大系数 均匀基区与缓变基区晶体管电流放大系数表征公式相似，物理意义相同。 提高晶体管电流放大系数： 1.提高NE／NB之比，为保证电流放大系数足够大，一般(NE／NB)102； 2.