纳米AlGaN的发光特性研究.doc

摘要 AlGaN是一种重要半导体光电材料，具有最高的直接带隙，高热导率，高熔点，高硬度，低膨胀系数，优良的化学稳定性和无毒性等特点[1]。采用化学气相沉积法，在较低工艺温度下将金属铝粉直接氮化合成纤锌矿结构的AlN纳米线和镓掺杂的AlGaN纳米线。分别用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM) 和能谱对AlN纳米线的形貌和光学性能进行表征。 比较、分析光致发光光谱，定性的探讨AlGaN的发光机理是缺陷发光。结果表明：不同温度合成的AlGaN的发光谱的峰位不同，是由氮空位或镓空位造成。温度的升高由镓空位引起的缺陷发光带宽有变窄的趋势，由氮空位的引起的缺陷发光带宽有变宽的趋势。目前已知以AlGaN组成的发光层可以实现红色、绿色和蓝色显示的发展状态。随着研究的深入AlGaN将会是一种很有发展前途的发光半导体材料。 关键字：氮化镓铝；半导体材料；发光特性 Abstract AlGaN semiconductor crystals with high thermal conductivity, high temperature insulation resistance and dielectric properties of materials under high temperature strength, low coefficient of thermal expansion and the match with the silicon semiconductor materials, non-toxic, etc., with good optical performance. Currently known to AlGaN emitting layer composed of red, green and blue display state of development. With in-depth study AlGaN will be a promising light-emitting semiconductor crystals. The use of high temperature vacuum sintering was prepared AlGaN microcrystalline, and photoluminescence measurements. Compare, analyze and summarize the different crystalline quality of AlGaN spectral peak position and peak width, Qualitative Study on AlGaN light-emitting mechanism. Inspection on AlGaN light-emitting in the English literature, a qualitative understanding of the structure and basic properties of the AlGaN. Inspection of semiconductor materials, light-emitting aspects of the book, understanding between light and matter interactions and the semiconductor material of the light-emitting principle. Key words: AlGaN；Semiconductor materials；Luminescent properties 1 绪论 1 1.1 研究的意义 1 1.2 氮化镓铝的性质及其研究 1 1.3 氮化镓铝的制备 4 1.3.1 直接氮化法 4 1.3.2 Al2O3热还原法 5 1.3.3 化学气相沉积法 7 1.3.4 等离子体气相合成法 7 2 化学气相沉积法 9 2.1 实验设备 9 2.1.1 平行管式炉 9 2.1.2 压片机 11 2.1.3 超声波清洗器 11 2.1.4 电子天平 12 2.2 化学气相沉积法原理 12 3 氮化镓铝的制备 14 3.1 氮化镓铝制备和相关数据 14 3.1.1 实验药品及其他物品 14 3.2 氮化镓铝制备的实验步骤 14 3.2.1 制备金属源 14 3.2.2 平行管式炉的预处理 14 3.2.3 氮化镓铝的制备 15 4 氮化镓铝的表征 16 4.1 拉曼分析 16 4.1.1 拉曼光谱仪 16 4.1.2 Raman分析 16 4.2 氮化镓铝SEM和能谱分析 17 4.2.1 扫描