掺杂铌酸锶钡陶瓷的制备及性能.pdf

摘要 铌酸锶钡无铅铁电陶瓷以其制备工艺简单、成本低、电性能好等优点而受到国 内外学者广泛关注。目前对铌酸锶钡陶瓷的研究主要集中在其制备工艺、显微结构 及介电性能方面，而现有的SBN陶瓷仍存在某些方面的不足，综合性能还不能完全 满足实际应用。掺杂和取代是改善材料性能的有效手段之一，据报道阳离子掺杂可 显著提高晶体或陶瓷材料质量，并对材料光学及电学性能等有改善作用。铌酸锶钡 是典型的未填满型钨青铜结构，本论文采用部分共沉淀法制备了Zr+掺杂的 Bao．5Sro 成、显微结构、铁电、介电等性能进行了系统研究。 研究结果表明：掺杂不同浓度的Zr4+，并引入Si02为烧结助剂，可制备出致密、 陶瓷原来的晶体结构。随着Zr4+掺杂量的增加，陶瓷的矫顽场髓有所降低，表明 Zr+掺杂能有效降低矫顽场，使得陶瓷易于极化，剩余极化强度尸，．和饱和极化强度 n均减小，铁电性能有所降低。 对Z∥掺杂的SBN陶瓷介电性能测试发现，随着测试频率的增大，陶瓷的介电 曲线峰向高温方向移动，最大介电常数降低，介电损耗随测试频率的升高而增大， 频率色散现象表明Zr4+掺杂的SBN陶瓷是典型的弛豫铁电材料。随Zr4+掺杂量的增 加，陶瓷的居里温度死逐渐降低，介电常数曲线峰拓宽，弥散程度增强，对应的最 大介电常数增加，在Zr+掺杂量为0．075时，达到最大值3820，当掺杂量再增加达 到固溶限后，介电常数开始降低。随Z，掺杂量的增加，样品介电损耗值变化不大， 均在0．1以下。 Zr4+和Ce共同掺杂，也制备出了致密、单一的钨青铜结构SBN陶瓷，各陶瓷 晶粒呈柱状结构，随Zr+掺杂量的增加，晶粒尺寸有所减小，致密度增加。对各陶 瓷样品的介电性能进行测试发现，在居里温度区，随测试温度的升高，各样品介电 常数曲线均出现一个宽缓的峰，表现出弥散相变特征；随测试频率的增加，介电常 数有所减小，介电曲线峰和损耗曲线峰向高温方向移动，表现出频率色散特征。Ce3+ 和Zr+共同掺杂时，随着Zr4+掺杂量的增加，材料的居里温度向低温方向移动，对 应的最大介电常数减小，弥散程度增强，介电损耗增大。 关键词：钨青铜结构；铁电陶瓷；铌酸锶钡；掺杂改性 The andthe of ions—doped PreparationProperties StrontiamBarinmNiobateCeramics Abstract barium of Lead-freeferroelectricceramicsStrontiumniobate(SBN)，withadvantageseasy costandexcellent drawnmoreandmoreattention．At fabrication，low properties，had present, researchesfocusedonthe of mainly preparationprocess，phasestructure，dielectricproperties ceramicsstillhassome andcant meetthe SBN．However,SBN shortcomingscompletely ofthe orsubstitutionisoneoftheeffectivemethodsto requirementspracticalapplication．Doping material hadbeen thatcation can improve performance，itreported doping