高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制.pdfVIP

《半导体光 电》2011年 12月第 32卷第 6期 邱应平 等 ： 高速集总型双耗尽 电吸收调制器的研制 高速集总型双耗尽 电吸收调制器的研制 邱应平 ，汪 洋 ，邵永波，周代兵，赵玲娟，王 圩 (中国科学院半导体研究所 材料开放实验室，北京 100083) 摘 要 ： 设讦并研制 了‘一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽 电吸收调 制器 (D-EAM)。同时，作为实验对照组，还制备 了一种普通有源 区结构 的电吸收调制器 (N— EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明，I)_EAM 的电容明显要小于 N—EAM。脊波导长度为 250p．m，宽度为2．5z／m 的 )【-EAM在一3V偏压下电容为 0．225pF，对应的调制带宽估算为28．3 GHZ；1550nm输入波长条件下，I)-EAM 在偏压为一 1V 至一2V之 间调制效率最大，达到 10dB／V，而一3V、一6V下的调制深度分别为 22dB和 26dB，满足 40Gbit／s光纤通信要求。 关键词 ： “双耗尽”有源区；电容；静态消光比；RC常数；电荷层 中图分类