稀磁性半导体(In1-xTbxSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究.pdfVIP

m十七届全国半导体物＆学术会议论文集 中嗣·长存2009年8月】6日．如R 稀磁性半导体(Inl。Tb。Sno1)203薄膜的结构和磁性研究 左亚路，颜世明。葛世慧‘ 兰州大学物理科学与技术学院，兰州．730000 cn E-nail：gesh@l珊edu 引言： 稀释碰性半导体是指少量的磁性离了掺杂到半导体中，它既具备半导体性质．又具有铁磁 性。因此稀释磁性半导体被认为是昂有希颦用来制作自旋电了器件的材料。近年来，稀磁半 导体丰要集·}一在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀上兀索掺杂的很少。本文拟对稀i：元素 9Sn01)20j薄膜进行研究。 Tb掺杂(Ino l样品的制备 采用金属无机盐水解的溶腔．凝腔 (sol—gel)法，以四水硝酸铟(h (N03)3．4H20)、h水四氯化锡 (SnC05H20)和^水硝酸铽(丁b (N03)]．6H20)为原车斗，以酒精和蒹馏 水为溶剂．用溶胶凝胶回流法．加 I璇涂法制备r(InogZb。Sn01)2如薄