光子晶体 Photonic crystals.pptVIP

現代技術 從布拉格繞射條件： 2d sinθ = nλ 可知，光子能隙處的光波波長與光子晶體的晶格常數必須有相同的數量級。 隨著半導體製程技術的成熟發展，利用製作積體電路的微影蝕刻技術 (lithography and etching)，例如：深紫外線曝光顯影技術 (deep-UV photolithography)、電子束微影 (E-beam lithography)以及聚焦離子束蝕刻 (focused ion-beam etching) * 半導體製程技術優缺點 優點： 1. 半導體的製程技術使得光子晶體二維平面結構的製作變得容易，有利於未來量產製作的實現。 2. 微影蝕刻技術不但可以精確地製作出高度有序的陣列，更可利用光罩的設計來達到控制光波導的行徑方向。 缺點： 1. 微影製作技術通常適用於二維的平面結構，並不適合於製作三維的光子晶體。 * 傳統的印刷方式 哈佛大學G. M. Whitesides 教授所開發的微接觸印刷技術 (microcontact printing)，用特定圖案的模子，沾黏了硫醇分子後將其轉印至鍍金的基板上 ，又稱為軟微影蝕刻 。 普林斯頓大學周郁教授所開發的奈米壓印蝕刻技術(nanoimprint)，直接以較硬的剛性模子將奈米級圖案壓印在高分子蝕刻阻劑層上 。 * 印刷方式的優缺點 優點： 1. 具有快速、低成本的特性 2. 微接觸印刷技術最高製