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IC生产线上离子注入剂量测试方法 杨富宝 金红杰 陈 荣 程宏亮 (杭州士兰集成电路有限公司，杭州 310018) 摘 要 在 IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们 在测试原理 、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V 法 、扩展电阻探针(SRP)法和热波 (TW)法的测试原理和测试过程，并 比较分析了上述各种测试方法的优缺点 ，从 而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考。 关键词 离子注入剂量；MOSC—V法；扩展电阻探针；热波法 DoI：10．3969／j．issn．1000—0771．2010．O1．011 子注入剂量测试方法，克服了传统MOSC—V法的 0 引言 缺陷。传统MOSC—V法的数据分析采用耗尽近似