电位移、介质中的高斯定理复习.pptVIP

* 如图，孤立球体的电势为 （与q无关） 实验表明：对于孤立导体有 （常数） 定义： 单位：法拉F 物理含义：导体升高单位电势所加电量。 H2O H2O H2O 单位： 辅助单位： 微法 微微法 例：求一半径为R的金属导体球的电容。 + + + + + + + + + q U R 若C=1法拉，则R=9?109mR地球 可见：电容是由导 体本身决定的， 与带电的多少及 是否带电无关。 - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + ++ 复习: 引出了极化强度矢量: 可以证明： S 一）介质中的高斯定理 S S S （1）式? +（3）式 令： 称为电位移矢量 得介质中的高斯定理 介质中的高斯定理： 穿出某一闭合曲面的电位移矢量的通量等于 这个曲面所包围的“自由电荷”的代数和。 注意：1） 是一个辅助量，场的基本量仍是场 强 2） 是 关系的普遍式。 对各向同性的介质： 令： 称为相对介电常数， 称为介电常数，则： 3） 的单位为库仑/米2 介质中的高斯定理： 穿出某一闭合曲面的电通量等于这个曲面所 包围的“自由电荷”的代数和除以介质的介电 常数 + + + + + + + + + + + + + + + + + q + 等势面 ?’ -?’ - - - - - - - ?0 -?0 可以证明：当均匀介质充满 场所在的空间或均匀电介质 表面为等势面时，则有： 导体 把一个带电体系带电Q的过程设想为不断地把dq从 无穷远处搬移到带电体上的过程，则 对于平板电容器 故 故 + + + + - - - - A B +q -q u 电源作功（外力作功）为电势能的增 量.对平板电容器,充电完毕,两极板间 的电势差为U，极板上的电量为Q 任意时刻，极板间的电势为u,极 板上的电量为q，将dq从B板移至A 板，则电源作功为 由于电源作功等于电容器贮存的电场能（电势能），即： 电源作功A=静电场具有的能量W 对于平板电容器 将平行板电容器公式变形： 提出电场能量密度概念(单位体积中的电场能量) 一般地,推广到任意电场(非均匀,交变场). *