溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡基铁电薄膜性能.pdf

摘 要 (Sr，Ba)Ti03薄膜在DRAM、相位移器、热释电探测器等领域的应用前景已成为 为主要前驱化合物，采用S01．Gel技术制备了光滑均一的BST薄膜，研究了退火温度、 掺杂元素以及衬底对BST薄膜结构和性能的影响规律。 为1小时时，薄膜的表面颗粒分布均匀、无裂纹、孔洞少。退火温度为750℃时，BST 薄膜转化为完整的AB03型钙钛矿结构，薄膜表面平滑致密，颗粒发育完整、尺寸较 大，存在微畴区域，且薄膜的介电性能最佳。 光滑平整、无缺陷裂纹。且微量元素镁、锰提高了BST薄膜的介电常数e，，降低了 其介电损耗tan6，且随着微量元素添加量的增加，最大介电常数温度点Tm逐渐移 向低温，介电常数峰的半高宽增加，呈现较强的弥散相变特征。只有当适量的微量元 素存在时，薄膜的介电常数得到明显的提高，当测试频率为lKHz，Mg元素的掺量为 0．100mol时，薄膜Sr05Ba0 4MgolTi03的￡，、tall6分别为55，O．06，优于其它Mg Sro5Ba0 陷类型及浓度，影响了退火处理时离子的扩散速率、晶粒的生长以及偶极子的形成及 极化，呈现出性质的差别。 srTi03衬底具有钙钛矿结构，晶格常数与BsT薄膜相匹配，且具有极好的化学 和热稳定性。Nb：SrTi03(100)衬底上和纯S ITi03薄膜在测试频率为1M时，介电 的。Nb：SrTi03(100)衬底上制各的Sro5Ba04Mgo r=50，taJl Sro5Ba0 Ti03(8 6=0．054)薄膜的介电性能要好。 4MgoI 用高分辨率透射电镜研究了sr0 sBa05Ti03薄膜的铁电微畴结构，畴的宽度估计在 1．2m，晶格条纹整体上贯穿畴区与非畴区。测试条件为1000Hz、20V时， I 溶胶．凝胶法制各钛酸锣钡基铁电薄膜的性能研究 Sro 5Bao4Mnol 关键词：溶胶．凝胶法，Bs丁薄膜，介电性能，掺杂元素，外延生长 II ABSTRACT The thin6lmsin RandomAccess applicationsof(Sr，Ba)Ti03 DRAM(Dynamic shmersand uncooledinfrareddetectorhavebeenoneof Memory)，phasep”oelectric the most about and fields materialandsciencehome minfilms imponant abroad．(S‘Ba)Ti03 with were SoI—GeI barium hi曲propertiespreparedby processingusing acetate，stmntium acelateaIldtitatlium·tetrabutoxideas materials．Inthis thee圩cctsof precursor p印eL and annealing substrateonthemicrostructureand were temperature，dopant propen