icp刻蚀ic机制及表面损伤的研究.pdfVIP

摘要 刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定 的化学性质，普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前，常采用的SiC刻 蚀方法多为等离子体干法刻蚀，其中，ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离 子体密度及独立的衬底偏压源控制的特点，在较低的衬底偏压下即可获得合适的 刻蚀速率，从而可以获得较低的刻蚀损伤，因此ICP刻蚀在SiC器件制备中得到 广泛的应用。 本文采用CF4／02作为刻蚀气体，研究了不同刻蚀参数(包括：工作压强、ICP 源功率、偏压源功率及02流量)下ICP亥IJ蚀SiC的刻蚀速率的变化。实验结果显 示，在高ICP源功率、高偏压源功率及合适的02含量(这里为25％)、工作压强(为 1．0Pa)下可以获得高的刻蚀速率。同时利用X射线光电子能谱(ⅫS)及原子力 显微镜(AFM)对刻蚀后样品表面污染及表面粗糙度进行分析，研究了不同参 数下ICP}I]蚀对SiC材料引入的表面损伤，获得了低损伤刻蚀的优化工艺条件，为 --0．25Pa。文中还利用扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀侧壁轮廓进行了观测。在 对刻蚀速率、刻蚀表面污染、刻蚀表面粗糙度及刻蚀侧壁轮廓的分析基础上，文 章对ICP亥I]蚀SiC的内在机理进行了探讨。 此外，本文通过