栅氧化层介质经时击穿逾渗模型.pdfVIP

第 52 卷 第 8 期 2003 年 8 月 物 　理 　学 　报 Vol . 52 ,No . 8 ,August ,2003 ( ) 10003290200352 08 204606 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin . Phys. Soc . 栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型 马仲发 　庄奕琪 　杜 　磊 　包军林 　李伟华 ( 西安电子科技大学微电子研究所 , 西安 　710071) (2002 年 8 月 7 日收到 ;2002 年 12 月 13 日收到修改稿) 　　在研究了MOSFET 栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型. 认为氧化层的 击穿是 E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果. 指出在电场作用下 ,氧化层中产 生深能级缺陷 ,缺陷形成定域态 ,定域态的体积与外加电场有关. 随着应力时间的增长 ,氧化层