纤锌矿GaN光的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文利用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(COA)平面波赝势 法，对理想GaN以及不同Al、IrI组分下的GaN基三元固溶体化合物的电子结构 和光学性质进行了计算。 论文在简要介绍了GaN材料的物理性质、研究进展状况以及第一性原理基本 理论的基础上，首先计算了在一系列平面波截止动能下的上价带宽度，依据计算 结果的收敛情况，发现当平面波截止动能为600eV时，即可完整描述波函数。我 们在该截止动能下，计算了纤锌矿GaN的晶格常数、能带结构、电子态密度和介 电函数等。发现使用GGA+PBE的算法组合，与实验值符合得很好，得到了与实 验值相符合的晶格常数。但由于采用GGA赝势，导致禁带宽度的计算值比实验 值偏小。 最后，本文对纤锌矿结构GaN晶体模型进行不同比例组分的AI、In加入获 得三元固溶体化合物。分别得到了A1GaN和InGaN的品格常数a和C相对于 Vegard定律的偏异系数和能带弯曲系数，其中AIGaN的偏异系数况与况分别为 数为4．283+0．689eV。 计算结果表明：A1组分的加入使得GaN晶体的光学带隙变宽，Al组分的增 大使得光吸收谱曲线往高能量方向平移；而I