双极型器件..ppt

半导体器件物理 —— 微细加工技术的进展 —— * 光刻工艺进展 * ( 制造特征尺寸≤130 nm 的CMOS-VLSI ) ① 采用超解像技术: 环带照明法 (OAI), 相移掩模法 (PSM), 光学接近修正 法(OPC); 将光刻胶图形加热到基材玻璃转变温度以上, 通过热流来实现图形的微细化. ② 采用新的曝光波长: 开发193nm ArF准分子激光和相应的光刻胶 (透明, 能干法腐蚀). ③ 193nm用的光刻胶: 主要有丙烯(Acryl)树脂、Norbornene与无水Malein 酸的交替共聚树脂、多环烯(Polycycloolefine)树脂3种. (以前 i 线 [365nm] 用的酚醛树脂 [Novolac] 和 248nm [深紫外线] KrF准 分子激光用的PHS [Polyhydroxy styrene] 树脂不再合用.) ④ 开发新的曝光技术: 开发 (248nm+PSM), (193nm), (193nm+PSM), 157nm, 电子束投影光刻(FPL), X射线光刻(XRL), 离子束投影光刻(I PL) 等技术. ② Cu的优点: a) 电阻率低; b) 抗电迁移能力强。