基于NOR的非易失性存储器的设计 毕业设计论文.doc

摘 要 基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失性存储器。本文着重介绍了基于NOR的非易失性存储器的设计，分析了基于NOR的非易失存储器的工作原理和应用前景；设计了一个64位的该寄存器的电路图和版图；通过对版图和电路图DRC和LVS的验证，最终得出了正确的版图和电路图。本文还阐述了关于版图设计方面的相关知识。 关键词：存储器；非易失性；NOR；版图设计；DRC Abstract The flash based on the concept of the floating gate has become the most general nonvolatile memory because of its small unit size and good working performance. This paper mainly introduced the design of nonvolatile memory based on NOR gate. The working principles and application prospects of the nonvolatile memory based on NOR gate have been detailed analyzed. The schematic and layout of the 64-bit circuit has been designed, which pass through the DRC and LVS, thus verifies the correct designing. This paper also introduces some relevant knowledge about layout design. Keywords: Memory; Non-volatile; NOR; Layout design; DRC 目 录 第1章 绪论 1 1.1 半导体存储器 1 1.1.1 动态随机存储器（DRAM） 1 1.1.2 静态随机存取存储器（SRAM） 2 1.2 非易失性存储器（NVW） 3 1.2.1铁电存储器(FeRAM) 3 1.2.2磁性随机存储器(MRAM) 4 1.3 浮栅场效应管 5 第2章 基于NOR非易失存储器电路设计 7 第3章 基于NOR的非易失存储器版图设计 9 3.1 版图设计流程 9 3.2 版图设计规则 9 3.2.1 线宽规则 10 3.2.2 间距规则 10 3.2.3 交叠规则 11 3.2.4 延伸规则 11 3.2.5 天线效应 12 3.3 版图验证 12 3.3.1 DRC（Design Rule Check）设计规则检查 13 3.3.2 LVS(Layout Versus Schematic)版图和电路图一致性检查 13 3.4 基于NOR的非易失版图实现 13 3.4.1 8位×8位非易失存储器电路图 13 3.4.2 8位×8位非易失存储器版图 14 3.4.3 DRC检测 15 第4章 结论 17 参考文献 18 致谢 19 第1章 绪论 半导体存储器以其容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等特点已广泛应用于数字系统。半导体存储器(emi-conductor memory) 是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM） RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。 ROM 主要用于BIOS存储器。 按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。 按其存储原理可分为：静态和动态两种。 半导体存储器的技术指标主要有： 1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 5. 功耗：动态功耗、静态功耗　DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据动态RAM的工作原理动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。 图1-1 3管动态RAM的基本存储电路在这个电路中，