第二章半导体中的杂质和缺陷2015-3-25课程.ppt

学校：西安科技大学 院系：电控学院电子科学系;第二章 半导体中的杂质和缺陷;理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 ;主要内容;§2-1 硅、锗晶体中的杂质能级;(2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近;1. VA族的替位杂质——施主杂质;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，——施主杂质。;;施主杂质的电离能小，在常温下基本上电离。;在Si中掺入B;Ec;受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据——空穴由受主能级向价带激发。;施主和受主浓度：ND、NA;等电子杂质;N型半导体 特征：;P型半导体价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴。空穴为多子，电子为少子。;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半