化学气相沉淀法.pptVIP

化学气相沉淀法合成单晶金刚石实验探索;目录 1.简介 2.金刚石化学沉淀的必要条件 3.化学沉淀法合成金刚石的方法 4.PCVD合成金刚石技术的发展历史与研究现状 5.MPCVD 单晶体金刚石成核过程和生长模式 6.影响MPCVD合成单晶体金刚石生长的主要因素;简介;实现金刚石的化学气相沉积有几个必要条件：;;化学气相法合成金刚石的方法;微波等离子体法(Microwave Plasma CVD,即MPCVD) 该方法反应条件稳定,生长晶体质量高,设备简单,成本合理，沉积的单晶体金刚石质量较好,但是生长的速率比较低,难以在短时间内生长出较大的单晶体金刚石。 在微波等离子体法的基础上进行改造,如偏压或磁场,如电子回旋共振波等离子体CVD,如加氮气,使得室内的等离子体均匀,离子的浓度高,沉积面积增加,沉积速度增大。;直流等离子体气相沉积法(Direct Current Plasma CVD,即DCP CVD):包括直流等离子体喷射CVD法,直流电弧放电等离子体CVD法等。 在直流等离子体喷射法的装置中,等离子体喷管由柱状阳极棒和阴极棒组成。原料气体经过电弧放电区域时形成等离子体,喷射到基底上沉积单晶体金刚石。 1990年,Ohtake等采用改进了的电弧放电等离子体射流CVD法,可以长时间(12h)生长金刚石,得到超过3mm厚的金刚石层,但其中含有石