四川大学模电子技术第五章.ppt

2、双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 3、各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 例题 1、放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 则电压增益为 由于 则 根据电路有 2、设 gm=3mA/V，?=50，rbe = 1.7k 前级:场效应管共源极放大器 后级:晶体管共射极放大器 求：总电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 +VCC RS 3M (+24V) R1 20k 10k C2 C3 R4 R3 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC T1 RE1 CE2 T2 CE1 RD 10k R2 1M 例题 （1）估算各级静态工作点: （略） （2）动态分析: 微变等效电路 首先计算第二级的输入电阻： Ri2= R3// R4// rbe=82//43//1.7=1.7 k? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第二步：计算各级电压放大倍数 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第三步：计算输入电阻、输出电阻 Ri=R1//R2=3//1=0.75M ? Ro=RC=10k ? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第四步：计算总电压放大倍数 Av=Av1Av2 =(-4.4) ?(-147) =647 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s end （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） （3）电流源偏置共源极放大电路 VDS ＝ VDD －IDRd－ VS 需要验证是否满足 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时(必须满足的小信号条件）， ??0时 高频小信号模型 式中gm=2Kn(VGS－VT) 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5 共源电路） s s 例5.2.6（共漏电路，源极输出器） 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 或 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共源极电路 共漏极电路 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共栅极电路