江苏高校的半导体物理复习(整理后)规范.doc

一、填充题 1. 两种不同半导体接触后,? 费米能级较高的半导体界面一侧带 电达到热平衡后两者的费米能级 。 2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 半导体。 3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 ； 线缺陷，如 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 ； 形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 。 5． 杂质可显著改变载流子浓度； 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。 6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 ，又能取代砷而表现为 ，这种性质称为杂质的双性行为。 7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 ， 从而可获得 ZnO半导体材料。