35 T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究.docx

2016年第 1期低温工程No．1 2016总第 209期CRY0GENICSSum NO．20935T强磁场下 Cernox和氧化 -J7皿日度传感器的磁致电阻效应研究孟秋敏( 中国科学院合肥物质科学研究院 合肥 230031)( 中国科学技术大学 合肥 230026)( 中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室 北京 100190)摘 要：以 Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌 (RX．202、RX．102)温度传感器为研究对象，研 究 了其在 0—35T场 强、0．75—69．5 K温 区下的磁致电阻效应。实验结果表明：CX一1050和 RX-202的 磁效应和在 35T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正负温度误差交替的现象，且低于 l0 K时，磁效应随温度的变化率明显增大，在 35 T、4．2 K处 CX．1050和 Rx202的磁效应分别为6．63％、2．21％；总体来说强磁场下受磁阻影响由小到大分别为 Rx-2O2、CX 1050、CX．1030、RX． 102，尤其 RX-202，在 1—35T、4．2K以下产生的测量误差小于一0．1K。Cernox和氧化钌温度传感器受磁场的影响都较小。关键词：Cernox 氧化钌 强磁场 磁致电阻效应中图分类号：TB657，TB66文献标识码：A文章编号：1000—6516(2016)01-0011．03M agnetoresistance of cernox and ruthenium oxidethermometer in 35 T magnetic ieldsfMeng Qiumin ，。’( HefeiInstitutesofPhysicalSciences，ChineseAcademyofSciences，Hefei230031，China)( UniversityofScienceand TechnologyofChina，Hefei230026，China)( KeyLab0ratory0fCryogenics，TeehniealInstituteofPhysicsandChemistry ChineseAeademyofSciences。Beijing100190，China)Abstract：ThemagnetoresistanceofCernox(CX-1050 and CX-1030)and Ruthenium Oxide(RX-202and RX-1021 thermometerin temperature rangeof0．75— 69．5 K underthe magnetic ieldsf up to 35 T wasinvestigated． Both the temperature errorat35 T and magnet0resistance ofCX一1050 and RX-202 appearto be plusand minusalternately with the change in temperature．The change rate ofmagnet0resistance increa-ses obviously with the temperature below 10 K． The magnet0resistance of CX．1050 and RX．202 iS6．63％ and 2．21％ respectively at35 T and 4．2 K．The influence ofmagnetoresistance on the tempera．ture error ofRX．202 iS minima1．ollowedf by CX．1050． CX．1030 and RX．102． The temperature eror ofRX．202 iSlessthan 一0．1 K at1— 35 T below 4．2 K．Asa whole．the magneticieldf effectforCernox andRuthenium Oxide thermometer iSinsignifcant．Key words：Cernox；Ruthenium Oxide；high magnetic ields；magnet0resistancef收稿日期：2016-01-13；修订日期：201602--19基金项目：中国科学院低温工程学重点实验室开放基金 (CRY0201420)项目资助。 作者简介：盂秋敏，女，33岁，硕士。l2低 温 工 程在磁场环境下，低温温度传感器由磁阻引起的温 度测量误差会降低低温物理研究结果的准确度，而更高的磁场环境和更高的温度测量准确度是强磁场下低温物理