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10006000半导体物理 Semiconductor Physics 半导体 1833，法拉第（Michael Faraday）发现某些化合物（例如硫化银）电阻具有负温度系数--发现半导体 1839年，法国科学家埃德蒙·贝克勒耳（ Alexandre-Edmond Becquerel ）发现，当光照在半导体材料上时，半导体材料的不同部位之间会产生电势差，这种现象后来被称为“光生伏特效应”。（时年19岁） 1873年Willough Smith发现硒在受照射时能够容易传导电流的现象，即光电导现象 半导体物理 Semiconductor Physics Michael Faraday （1791-1867） 英国物理学家、化学家，也是著名的自学成才的科学家。生于萨里郡纽因顿一个贫苦铁匠家庭。仅上过两年小学。 1874年，布劳恩（F. Braun）注意到金属和硫化物接触时有整流特性 1979年，霍尔发现霍尔效应 1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. Pickard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子组件，使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。 1926年，费米-狄拉克统计 1928年，布洛赫定理 1929年，派尔斯（Rudolf Peierls)，能带理论 1938年，波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rud