FlashMemory详细分解.pptVIP

Flash Memory—原理与应用 存储器功能模块 基本单元 信息存储方式 Flash Memory 分类 按读写及擦除方式 NOR Flash Nor Flash 电路结构及其单元剖面图 Nor Flash 编程及擦除方式 写入：Hot Electron Injection(CHE)--热电子注入 擦除： Fowler -Nordheim (FN) tunneling--FN沟道效应。 Nor Flash 编程及擦除方式 电子受水平电场作用沿沟道向右运动，其能量不断增多，接着又由于垂直大电场的作使一部分电子穿过氧化层而进入FG。 Nor Flash --XIP 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。 Nor Flash --XIP Nor Flash 在嵌入式系统中的应用 Nor Flash 读写时序 首先从地址发出寻址