晶体管原理总结2讲义.ppt

Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 以N沟道MOSFET为例--- 非饱和区的漏源电导为： 当VDS=VDsat 时： (1)有效沟道长度调制效应对 的影响： 当沟道长度L较短时，沟道长度调制效应较显著，这时饱和区漏源电导 将很大。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (2)漏区静电场对沟道区的反馈作用对 的影响： Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 3）电压放大系数 定义： 以N沟道为例，在非饱和区： 取全微分，得 令上式为零，得 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 MOSFET 的频率特性 1）本征电容Cgs和Cgd 定义栅极电容CG ： P-衬底 N+ N+ ① ② 栅、源对交流短路的情况下： 栅漏电容Ｃgd: Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 推导Cgs和Cgd的表达式采用准静态近似法 栅、漏对交流短路的情况下： 栅源电容Ｃgs: 当VDS=0时 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 物理意义: 当VGSVT后，源漏区之间的半 导体表面将形成沟道。如果VGS增加 饱和