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2.4.1 三极管的结构及工作原理 1、三极管的结构及符号 （1）结构 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 NPN 型 P P N E B C E C B E C B 结构特点： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电区面积大； 箭头表示发射结正偏时电流的流向。 PNP型 （2）电路符号 2.4 三极管 （3）三极管的类型： 按结构划分：NPN管、PNP管； 按制作材料划分：硅管、锗管； 按工作频率划分：低频管（3MHz以下）、高频管； 按功率划分：小功率管（1W以下）、大功率管； 国家标准对半导体晶体管的命名如下: 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列等； 2)电子到达基区后,多数由集电结电场漂移到集电区，形成 ICN。 2、三极管的工作原理 （1）三极管内部载流子的运动 1) 发射结正偏，发射区向基区注入多子电子， 形成扩散电流IEN。 I CN