4.2氧化讲述.ppt

解释界面态的物理机制 悬挂键 硅原子周期排列中断，存在悬挂键，当硅氧化为SiO2时，悬挂键大部分与氧结合，使Si-SiO2界面悬挂键密度减小。但仍存在少量的悬挂键，这些悬挂键上有一个未配对的电子，可以得失电子而表现为界面态。 在过渡区中，硅原子的氧化状态很不相同，没有完全氧化的硅原子，即所谓的三价硅也是界面态的主要来源 荷电中心 存在界面附近的化学杂质 界面陷阱电荷Qit（2） 危害： 使阈值电压漂移 大量的界面态电荷会显著降低晶体管沟道迁移率（金属化后退火（PMA），减少界面态） 使MOS电容的C-V曲线发生畸变 成为有效的复合中心，导致漏电流的增加 界面态密度与衬底晶向、氧化层生长条件、和退火条件有关。 (111)晶向界面态密度最大 → (100)晶向 低温惰性气体退火（90%N2+10%H2），用H2来饱和悬挂键，可降低界面态密度 界面陷阱电荷Qit（3） 氧化层固定电荷Qf（1） 简介 通常由Si- SiO2之间过渡区的结构改变引起 一般为正电荷，在外电场的作用下，不会移动 机理 过剩硅离子模型 危害 影响阈值电压 减小沟道载流子迁移率（固定正电荷对载流子的散射） 特征： 固定正电荷密度与氧化层厚度、硅衬底掺杂类型和浓度关系不大，但与氧化层生长条件关系密切。 不同晶向硅材料的Qf密度有如下关系Qf （111）Qf （110）Qf （100） 解决措施： 适当选择氧化、退火条