5第五讲半导体探测器答辩.ppt

(3) 窗厚对能量分辨率的影响 2、分辨时间 3、辐照寿命 4、P-N结型半导体探测器的应用 不同角度入射的带电粒子穿过探测器的窗厚度不同，在窗中损失的能量不同，造成能谱展宽， 各种因素对系统能量分辨率的影响， ………… §5.3 P-I-N型半导体探测器 一．工作原理 二．输出信号与主要性能 三． P-I-N型半导体探测器的应用 为什么要发展P-I-N型探测器？ 1MeV的?粒子在硅中的射程~2mm，而P-N结型探测器灵敏体积的线度一般不超过1~1.5mm。 P-N结型探测器探测?和?的效率太低。 带正电的锂离子与带负电的受主离子结合成中性的正负离子对。由于补偿作用，形成本征区。构成P-I-N结构。 在高电阻率的P型半导体材料表面掺入锂原子，制成P-N结。Li在Si和Ge中有较高的迁移率和电离能（在Si中0.03eV，Ge中0.01eV)，所以在室温下全部电离。Li离子的半径很小（0.6A），所以很容易以较大的速度穿过晶格（5.62A、5.42A）深入进去。 在高温下，外加反向电场，使锂离子沿电场方向扩散。 一．工作原理 本征区I 电子空穴密度相等， N区和P区多数载流子密度远远大于少数载流子密度， 存在不等式： 多数载流子扩散，出现空间电荷。 I区是耗尽区，电阻率很大，叫做本征区。 空间电荷建立电场，阻止多数载流子进一步扩散。 锂离子在外加电场作用下向右漂移。 NLi较大处会引起电场变化，加速多余的锂离子向右漂移。 a b 锂离子漂移区域不存在空间电荷，为均匀电场分布。 1、锂漂移探测器的输出信号 2、能量分辨率 3、线性 4、探测效率 绝对效率，本征效率 总效率， 峰效率 5、峰康比 6、分辨时间 二．输出信号与主要性能 ＋ – 锂漂移探测器的输出信号 ut 探测效率 绝对总效率 绝对峰效率 本征总效率 本征峰效率 三． P-I-N型半导体探测器的应用 1、使用中的注意事项 2、锂漂移探测器与其它?射线谱仪的比较 与碘化钠闪烁谱仪的比较 与正比计数器的比较 与晶体衍射谱仪的比较 3、半导体?谱仪在核物理实验中的应用 4、半导体?谱仪在工业技术中的应用 要求低温条件： 室温下，离子对会离解； 降低反向电流和噪声。 §5.4 高纯锗HPGe半导体探测器 一．工作原理 二．主要性能与应用 为什么要发展HPGe探测器？ 锂漂移探测器需要低温保存与使用。 生产周期(锂漂移时间)长。 耗尽层的宽度： 纯化，N~1010原子/cm3， 达W~10mm，高纯锗(HPGe)探测器。 大体积灵敏区：增加工作电压V，降低杂质密度N。 一．工作原理 高纯锗探测器： P-N结型探测器，常温保存，低温使用。 补偿，锂漂移型探测器。 灵敏区厚度：5~10 mm ?：E? ? 220 MeV p：Ep ? 60 MeV ?：300 ~ 600 keV 工作在全耗尽状态； 液氮温度77?K。 形成P+-P-n+结构。 P型区存在电荷，电场强度不均匀。 平面型HPGe探测器 同轴型灵敏区体积大，~ 400cm3。 同轴型HPGe探测器 双端同轴 单端同轴 双端同轴型表面漏电流较大，增加噪声。 单端同轴型电场径向一致性较差，通过磨圆、加长内芯电极加以改善。 1、能量分辨率： 同轴型测量?的分辨率：1.5~2.0keV@1.332MeV； Si(Li)、Ge(Li)测量x ： 160~200eV@5.95keV。 2、探测效率： 相对?3?3吋的NaI(Tl)晶体 ~85cm3的HPGe 测量?的探测效率~19%。 3、峰康比： 峰顶计数与康普顿坪平均计数之比，~20~80。 4、电流脉冲宽度：10?9~10?8 sec.。 二．高纯锗和锂漂移探测器的主要性能 各种探测器测量分辨率比较 ~16% 正比计数器 ~1.3‰ Ge(Li) ~52% ~3% 55Fe X 5.9 keV ~1% 屏栅电离室 ~3‰ Si(Au) Si(Li) ~6% ~7% NaI(Tl) 241Am ? 5.485 MeV 60Co ? 1332 keV 137Cs ? 662 keV 探测器 NaI(Tl)和Ge(Li)的108Ag和110Ag能谱