电容器在射频与微波电路中的运用一电容器基本高频参数1.docVIP

电容器在射频与微波电路中的运用 电容器基本高频参数： 电容器高频等效电路图： 　　一个实际的电容器在极低频时，可以把它看作为一个单独的电容器来使用。但是，一旦频率上升到射频、微波阶段，电容器随频率而来的寄生参数就不能忽略了。下图是一个电容器在高频下的等效电路图，其中等效并联电阻Rp（由电介质损耗而来）在图上没有画出，因为Rp仅在低频下起作用，高频下没有影响（由于高频下“趋肤效应”的影响，电介质损耗在高频下几乎不起作用）。 图1 其中：C为所需电容、Rs为等效串联电阻(ESR)、Ls为等效串联电感（ESL）、等效并联电容（Cp） ２．串联谐振频率(FSR)、并联谐振频率(FPR) : 由电容器的高频等效电路图出发，首先讨论电容器的两个谐振频率：即串联谐振频率(FSR)、并联谐振频率（FPR）。 由电路图可以得到此模块的阻抗表达式：Z =1/(jwCp+1/(Rs+jwLs-j/wC))　w为角频率。 所谓谐振频率，是指阻抗频率变化中，净电抗为零时的频率。此阻抗的幅值｜Ｚ｜与频率的关系，可以从下面来考虑：由于Cp值非常小，所于在频率不高时，可以暂时不考虑。此时电路就是简单的串联ＲＣＬ电路，其谐振发生在XL=Xc时，即wLs= 1/(wC),得到w=1/sqrt(C*Ls),即下图中的Ws。当频率继续上升时（大于Ws），电容器已经对外表现为一个小电感，此