chap2半导体2极管和其基本电路.ppt

Chap2 半导体二极管及其基本电路;Chap2 半导体二极管及其基本电路;Chap2 半导体二极管及其基本电路;2.1 半导体的基本知识;2.1 半导体的基本知识;2.1.3 本征半导体及其导电性;2.1.3 本征半导体及其导电性;2.1.3 本征半导体及其导电性;2.1.3 本征半导体及其导电性;2.1.4 杂质半导体;2.1.4 杂质半导体;2.1.4 杂质半导体;2.1.4 杂质半导体;2.1.4 杂质半导体;*2.1.5半导体的载流子运动和温度特性;*2.1.5半导体的载流子运动和温度特性;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.2 PN结;2.3 半导体二极管;2.3 半导体二极管;2.3 半导体二极管;2.3 .2 二极管的V-I特性;2.3 .2 二极管的V-I特性;2.3 .2 二极管的V-I特性;2.3 .2 二极管的V-I特性;2.3 .2 二极管的V-I特性实验;2.3 .3半导体二极管的参数;2.3 .3半导体二极管的参数;2.4 二极管基本电路及其分析方法;2.4 二极管基本电路及其分析方法;2.4.1二极管V-I特性的建模;2.4.1二极管V-I特性的建模;2.4.1二极管V-I特性的建模;2.4.1二极管V-I特性的建模;2.4.2 模型分析法举例;2.4.2 模型分析法举例;2. 限幅电路;2. 限幅电路;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管－稳压二极管的参数;2.5 特殊二极管－稳压二极管的参数;2.5 特殊二极管－稳压二极管的参数;2.5 特殊二极管－稳压二极管的参数;2.5 特殊二极管－稳压二极管的参数;2.5 特殊二极管－稳压二极管应用举例;2.5 特殊二极管－稳压二极管应用举例;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;2.5.3 光电器件;Chap2 半导体二极管及其基本电路习题;1.2.5 半导体二极管的型号; 半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管;1.3.1.1 双极型半导体三极管的结构 1.3.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 1.3.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 1.3.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 1.3.1.5 半导体三极管的参数 1.3.1.6 半导体三极管的型号;; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制??得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;; 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:;;(2)三极管的电流放大系数;因 ≈1, 所以 ? 1;; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。; 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致， 右移不明显说明内部反馈 很小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ;(2)输出特性曲线; 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电