模拟电路常用元器件精品文稿（第二章）.ppt

第2章 模拟电路常用元器件;;1948年，贝尔实验室的沃尔特.布拉登和约翰.巴丁发明了世界上第一个点触式晶体管。;1956年，贝尔实验室的这三个人因此而获得诺贝尔物理学奖。;;;;;;;;;;2.1 普通半导体二极管;; 当PN结 正向 偏置，即P型半导体接电源的正极，N型半导体接电源的负极，PN结变薄，流过的电流较大，呈 导通状态 ；当PN结 反向 偏置，即P型半导体接电源的负极，N型半导体接电源的正极，PN结变厚，流过的电流很小，呈 截止状态 。 ;基于PN结，从而生产出了半导体二极管，以 后简称二极管。;2.1.2 伏安特性;;; bc段: 电流几乎为零，管子相当于一个大电阻，呈正向截止状态，好象有一个门坎。硅管的门坎电压Uth（又称开电压或死区电压）约为0.5V，锗管约为0.1V。;2. 反向特性;2.1.2 主要参数 ;(3) 反向电流IR 是指二极管未击穿时的反向电流。其值越小，管子的单向导电性越好。由???温度增加，反向电流急剧增加，所以使用二极管时要注意温度的影响。 ;2.2 特殊半导体二极管 ;1.稳压管的伏安特性; ;2.稳压管的主要参数 ;（2）稳定电流IZ：IZ是稳压管工作在稳定状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，故也常将IZ记作IZmin。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。 ;（3）额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM（或记作IZmax）的乘积。稳压管的功耗超过此值使，会因PN结温升过高而损坏。对于一只具体的稳压管，可以通过其PZM的值，求出的IZM值。 ; （4）动态电阻rZ：rZ是稳压管工作在稳压区时，端电压变化量与其电流的变化量之比，即rZ=ΔUZ/ΔI。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，即稳压管的稳压特性愈好。对于不同型号的管子，rZ将不同，从几欧到几十欧；对于同一只管子，工作电流愈大，rZ愈小。 ; （5）温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=ΔUZ/ΔT。稳压电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高时稳定电压值下降；稳压电压大于7V的管子具有正温度系数，即温度升高时稳定电压值上升；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零。 ;由于稳压管的反向电流小于IZmin时不稳压，大于IZmax时会因超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。只有在限流电阻取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。 ;2.2.2 变容二极管 ;;2.2.3 光电二极管;;2.2.4 发光二极管;;2.2.5 激光二极管 ; 半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光器相同。但气体激光器所发射的是可见光，而激光二极管发射的主要是红外线。激光二极管在小功率光电设备中得到广泛的应用。如计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等。 ;2.3 半导体三极管;2.3.1 结构类型符号;在发射极和基极之间形成的PN结叫发射结，在集电极和基极之间形成的PN结叫集电结。根据结构不同，三极管有NPN型和PNP型两种。 ;2.3.2 特性曲线; 当uBE较小时，iB几乎为0，这段常被称为死区，所对应的电压被称为死区电压（又称门坎电压），用Uth表示，硅管约0.5V。当uBE＞0.5V以后，iB增加越来越快。另外，随着uCE的增加，曲线右移，uCE愈大右移幅度愈小，uCE＞1V以后曲线基本重合。由于实际使用时，uCE总是大于1V，所以常将uCE=1V的输入特性曲线作为三极管电路的分析依据。 ;2.输出特性 ;（1）输出特性的起始部分很陡，uCE略有增加时，iC增加很快。; 在电路中有三种工作状态，分别对应于图中标注的三个工作区域： ; 三极管工作在放大状态，具有电流控制作用，利用它可以组成放大电路；工作在截止和饱和状态，具有开关作用，利用它可以组成开关电路。 ;2.3.3 主要参数; 在恒流特性比较好，曲线间距均匀，并且工作于这一区域时，才可以认为和是基本不变的，此时和几乎相等，通常可以混用。 ;(1) 集电极-基极反向饱和电流ICBO;测量ICBO的电路:;(2) 集电极-发射极反向饱和电流ICEO;3. 极限参数 ;(2) 集电极最大允许功率损耗PCM;;(3) 反向击穿电压;② U（BR）CBO，即发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。其数值一般较高。;2.4 场效应管 ;2.4.1 结构类型与符号 ; 绝缘栅场效应管（IGFET）的源极、漏极与栅极之间常用SiO2绝缘层隔离，栅极常用金属铝，故又称MOS管。与JFET相同，MOS管也有N型和P型两种导电沟道，且每种导电沟道又分为增强型和耗尽型两种，因此