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WWW.DCY-CHINA.NET
S8050 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Complimentary to S8550
Collector current: I =0.5A
C
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) TO-92
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V 1.EMITTER
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
2.BASE
IC Collector Current -Continuous 0.5 A
PC Collector Power Dissipation 0.625 W 3.COLLECTOR
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage V I = 100μA, I =0 40 V
(BR)CBO C E
Collector-emitter breakdown voltage V I = 0.1mA, I =0 25 V
(BR)CEO C B
Emitter-base breakdown voltage V I = 100μA, I =0 5 V
(BR)EBO E C
Collector cut-off
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