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第11章 存储器集成电路简介 集成电路芯片及应用 2011年12月 存储器分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 静态RAM 动态RAM 只读存储器ROM（Read-Only Memory） (掩膜式ROM,用户写入) 可编程的PROM 可用紫外线擦除、可编程的EPROM 可用电擦除、可编程的E2PROM Flash Memory 串行访问存储器(Serial Access Storage) 按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 动态随机存储器DRAM 60年代第一个半导体存储器：16位双极性静态存储器 70年代MOSFET PMOS-NMOS-CMOS 需要刷新 静态随机存储器SRAM 元件多、容量小、速度快高速缓冲 目标：面积、速度、功耗、工艺 Intel 2147 4k 只读存储器ROM 内容掉电后不变 存储指令、系数、函数表、固定程序控制器、游戏卡 ROM-PROM-EPROM-EEPROM-FLASH FLASH EPROM的结构简单、密度高优点、在线电擦除  速度 容量 低成本 存储器结构 非易失NV SRAM 第一代NV SRAM模块问世近20年来，新一代NV SRAM不断更新 第一代NV SRAM模块采用大尺寸DIP封装。该封装具有一定的高度，因为电池和RAM芯片叠放于DIP封装之中。DIP封装器件可以插入DIP插座，方便替换，储存，或从一个印制板转移到另一个。虽然这些优点至今仍非常有用，但相比之下，更有必要发展表面贴装技术，以及将工作电压由5V变为3.3V。  采用DIP封装的第一代NV SRAM模块 第二代NV SRAM模块采用两片式方案—PowerCap模块(PCM)，即由直接焊接到印刷板的基座(包含SRAM)，以及PowerCap (也就是锂电池，通过卡扣固定在基座上)两部分组成。与DIP模块相比，这类器件具有两个主要优点：它们采用表面贴装，并且具有标准引脚配置。换句话说，无论多大容量的NV SRAM，其封装和引脚数是相同的。因此，设计人员可以加大系统存储容量，而不用必须担心需要改变PCB布局。电池更换起来也很容易。 采用PowerCap模块封装的第二代NV SRAM 三代也就是最新的NV SRAM模块解决先前产品所存在的问题，同时增加了更多功能。 这类新型NV SRAM是单片BGA模块，内置可充电锂电池。和PCM一样，采用这种封装形式的所有SRAM无论其容量大小，封装尺寸和引脚配置都是相同的。此类模块采用表面贴装，并且是单片器件。因此设计更加坚固可靠，较上一代器件可承受更强的机械震动。由于电池是可充电的，因此数据保存时间的概念有了另外一层含义。用等效使用寿命一词来描述更为适当，此类器件等效使用寿命可高达200年! 采用单片式模块封装的第三代NV SRAM NV SRAM 非易失性存储器比较 铁电存储器 铁电存储器 磁阻式 随机存取存储器 MRAM采用和硬盘类似的材料（铁－钴－镍基质薄膜）和读写原理，只是MRAM器件应用半导体平面工艺来生产，没有任何机械或移动的装置。目前已有摩托罗拉公司采用类CMOS工艺和铜互连技术生产出256Kb样片，读写周期小于50纳秒。 FRAM技术的核心是集成到芯片中的微小铁电晶体。铁电晶体的电极化可由施加在电容两端的电场变化来实现。芯片内的电路能够感应电极化的方向从而判断0－1信息。FRAM技术已经存在若干年，但一直应用在很狭窄的领域内。目前德州仪器公司（TI）和瑞创国际公司 (Ramtron International Corporation)正携手开发这一技术。采用COP技术（capacitor-on-plug）和标准0.13微米CMOS工艺，TI已经成功地生产出了 6? Mb的 FRAM 器件。 OUM存储器是世界头号半导体芯片厂商英特尔推崇的下一代非易失性、大容量存储技术。英特尔和该项技术的发明厂商Ovonyx 公司一起，正在进行技术完善和可制造性方面的研发工作。OUM存储器也可以做在硅晶片衬底上，其关键材料是 可以记录材料相变的硫化物薄膜。在数据读取速度方面，OUM可以实现与闪存同等水平的高速读取。在可擦写次数方面与FRAM一样，为10的12次方。读取方法与MRAM一样为非破坏型，次数无限。元件尺寸方面，OUM约为MRAM或FRAM的1/3。耗电方面，OUM可以在2.5V下工作，比其他技术更优异。英特尔已经在其生产奔腾芯片的工厂中，用0.18微米CMOS工艺试制出4Mb的OUM样片。在开发OUM的同时，英特尔也在发展一种称为聚合物铁电体存储器（PFRAM）的