第11章变流技术.ppt

变流技术的产生和分类 　自1957年世界上第一只晶闸管诞生后，半导体器件的应用从弱电领域进入了强电领域，电能的变换和控制也进入了以电力半导体组成的变流器时代，标志着电力电子变流技术的诞生。 * 第11章 变流技术 11.1 电力电子器件简介 11.2 单相可控整流电路 11.3 晶闸管的触发电路 变化或固定的直流电压 交流调压器 固定或变化的直流电压 变流器的分类 整流器 逆变器 斩波器 周波变流器 交流电 电压固定或可调的直流电 固定的直流电 频率固定或可调的直流电 固定的交流电压和频率 可调的交流电压和频率 变化或固定的交流电压 固定或变化的交流电压 11.1 电力电子器件简介 电力电子器件 整流二极管 非可控器件 可控器件 普通整流二极管 硅对称二极管 快恢复二极管 肖特基整流二极管 肖克来二极管 光控晶闸管LATT 普通晶闸管TH 快速晶闸管FST 双向晶闸管TRIAC 逆导晶闸管RCT 大功率晶体管GTR 功率场效应管Power MOSFET 绝缘栅功率晶体管IGBT 静电感应晶体管SIT 可关断晶闸管GTO MOS控制晶闸管MCT 静电感应晶闸管SITH 非自关断器件 （半控型） 自关断器件 （全控型） 晶闸管 晶体管 11.1.1 晶闸管（Thyristor）：又称可控硅（SCR) 　是实现大容量功率变换和控制的半导体器件，在整流、逆变、变频、调压和开关等方面得到广泛的应用。 一、晶闸管的结构 二、晶闸管的工作原理 三、晶闸管的伏安特性 四、晶闸管的主要参数 1、晶闸管的结构 A（阳极） P P N 三个PN结 N 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极 或门极） 晶闸管的结构 晶闸管的符号和外形 螺栓型 平面型 （1）晶闸管的双晶体管模型： 　在分析晶闸管的工作原理时，常将其等效为两个晶体管V1和V2串级而成。 2、 工作原理 工作过程： 　UGK0 → 产生IG → V2导通→产生IC2 （ β2IG ） → V1导通→ IC1 （β 1IC2）↗ → IC2 ↗ → 强烈的正反馈：G极失去控制作用，V1和V2完全饱和，晶闸管饱和导通。 　通过晶闸管的电流由R确定为EA/R。UAK之间的压降相当于一个PN结加上三极管的饱和压降约为1V。此后，即使将IG调整为0，即UGK0，也不能解除正反馈，G极失去控制作用。 （2）晶闸管导通与断开的规律： 1）当UAK0时，无论UGK如何，晶闸管处于关断状态 2）当UGK0时，无论UAK如何，晶闸管处于关断状态 3）当UAK0时，如果控制极开路，晶闸管处于关断状态 4）当UAK0， 且UGK0时，晶闸管才能够导通，导通后管压降UAK为1V左右。 5）晶闸管导通以后控制极就失去了控制作用，无论UGK为正还是为负，晶闸管仍保持导通，所以控制信号只需触发脉冲即可 6）要使晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或给阳极加反向电压，或降低阳极正向电压使流过晶闸管的电流降低到维持电流IH以下。 7）当控制极未加触发电压时，晶闸管具有正向（ UAK0 ）及反向（ UAK0 ）阻断能力 晶闸管导通的两个必备条件： ①阳极加正向电压，控制极加正向触发脉冲信号； ②阳极电流不小于维持电流。 3、晶闸管的伏安特性 正向 反向 导通前 导通后 （1）IG=0时： 　器件两端施加正向电压，晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过；正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通； （2） 随IG增大，正向转折电压降低； 正向 反向 导通前 导通后 3. 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相似； 4. 晶闸管本身的导通压降很小，在1V左右； 5. 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至电流IH值以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 UBO：正向转折电压 四、主要参数 UFRM：正向重复峰值电压 UBR：反向转折电压 URRM：反向重复峰值电压 额定电压 IF：额定正向平均电流 IH：维持电流 晶闸管型号 通态平均电压组别，共九级， 用字母A~I表示0.4～1.2Ｖ 额定电压，用其百位或千位数表示 额定正向平均电流（IF） 晶闸管 K 晶闸管类型 P---普通晶闸管 K---快速晶闸管 S ---双向晶闸管 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通； 承受正向电压时，在有门极触发电流时，晶闸管才能开通； 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用； 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到维持电流IH以下 。 从这个角度可以看出，晶闸管是一种电流控制型的电力电子器件。 小 结 11.2 单相可控整流电路 11.2.1　单相半波可控整流电路 一、电阻性负载 1.工作原理 u1 u2 uT