室温下SiSi1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟.pdf

第 27 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 5 2006 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2006 室温下 Si/ Si1 - x Gex 共振隧穿二极管的数值模拟 李 　涛 　余志平 　王 　燕 　黄 　雷 　向采兰 (清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) ( ) ( ) 摘要 : 采用量子水动力学 Q HD 模型模拟了 35nm Si/ Si1 - x Gex 空穴型共振隧穿二极管 R TD 在室温下的 IV 特 ( ) 性. 模拟过程中 ,引入 second up wind , Schafett erGummel SG 和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行 离散 ,保证了结果的收敛性. 还模拟了不同的器件结构 ,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会 ( ) 对 R TD 的负阻效应产生影响. 在室温下 T = 293 K ,当 x = 023 时 ,模拟结果的峰谷电流比为 1 14 ,与实验结果相 吻合. 关键词 : Si/ Si1 - x Gex 共振隧穿二极管 ; 量子水动力学模型 ; 离散方法 ; 轻重空穴 ; 峰谷电流比 PACC : 72 10B ; 7340 G ; 7340L 中图分类号 : TN 3 13 + 2 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 5n m , 整个 R TD 器件长度为 35n m , 不掺杂杂质. 器 1 　引言 件两端为高掺杂的 Si , 掺杂 B 的浓度约为 1 ×1019 c m - 3 . 图2 给出了B 的浓度分布 , 其中的凹口位置 基于 Si/ Si 1 - x Ge x 的空穴 R TD 结构简单 , 在工 为双势垒单量子阱结构所处的位置 , 此结构的详细 艺上也容易与传统的 CM OS 制造工艺兼容 , 是一种 实现过程可以参考文献[ 3 ] . 根据材料的喇曼测试图 很有希望的器件结构. 近年来 ,清华大学微电子所开 谱和双晶衍射谱[ 1] 可以计算出 Si Ge 层中 Ge 的组 展了对这种器件的研究工作 , 研制出室温下即可观 分为 23 % . 察到负阻效应的空穴型 Si/ Si 1 - x Ge x R TD [ 1 ] . 本文 ( ) 首次采用量子水动力学 Q H D 模型对 Si/ Si 1 - x Ge x [ 2 ] R TD 进行数值模拟. Q H D 模型 通过在经典水