微电子工艺课件Chapter-16第十六章 刻蚀.pptVIP

第十六章 刻蚀 学习目标： 1、刻蚀的9个重要参数； 2、解释干法刻蚀，包括它的优点，以及它是如 何进行的； 3、描述7种干法等离子体刻蚀设备； 4、解释高密度等离子体（HDP）刻蚀的好处， 4种HDP刻蚀机； 5、举出介质、硅和金属干法刻蚀的实际例子； 6、湿法刻蚀及应用； 7、刻蚀检查以及相关的重要的质量测量方法。 第十六章 刻蚀：16.1 引言 刻蚀：利用化学或物理的办法有选择的去除不需要材料的工艺过程。 刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，特征尺寸的缩小使刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更严格。 大马士革工艺重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。 刻蚀在CMOS技术中的应用 在晶片厂中的位置 第十六章 刻蚀：16.1 引言 刻蚀工艺： 干法刻蚀、湿法刻蚀 从材料来划分，刻蚀分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀 有图形刻蚀、无图形刻蚀 16.2 刻蚀参数 刻蚀速率 刻蚀剖面 刻蚀偏差 选择性 均匀性 残留物 聚合物 等离子体诱导损伤 颗粒沾污和缺陷 刻蚀速率 湿法各向同性化学腐蚀 具有垂直刻蚀剖面的各向异性刻蚀 湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面 刻蚀偏差 刻蚀中的横向钻蚀和倾斜 刻蚀选择比 刻蚀均匀性 聚合物侧壁钝化来提高各向异性 第十六章 刻蚀：16.2 刻蚀参数 残留物 等离子体诱导损伤 颗粒沾污和缺陷 第十六章 刻蚀：16.3 干法刻蚀 干法刻蚀