位错理论可编辑.pptVIP

1.位错理论基础 1.1 晶体缺陷概论 晶体中的缺陷： 原子排列偏离完整性的区域 点缺陷－在三个方向上尺寸都很小 线缺陷－在二个方向上尺寸很小 面缺陷－在一个方向上尺寸很小 点缺陷 point defects 空位 vacancy 间隙原子 interstitial atom 杂质原子 impurity atom Point Defects 点缺陷 Self Diffusion Via Vacancy Mechanism 点缺陷对晶体性能的影响 间隙原子－体积膨胀1~2个原子体积 空位－体积膨胀0.5个原子体积 屈服强度↑ 对扩散、高温形变和热处理等过程均有重要影响 面缺陷 plane defect 小角度晶界 low angle grain boundary 大角度晶界 high angle grain boundary 相界面 interphase boundary 小角度晶界特点 *θ10° 由位错构成 *位错密度↑— 位向差↑—晶格畸变↑—晶界能↑ 小角度晶界 类型 （1）对称倾侧晶界相邻晶粒各转θ/2同号刃位错垂直排列 （2）不对称倾侧晶界相互垂直的两组刃位错垂直排列 Low Angle Grain Boundary －小角晶界 晶界特点 1） 晶界—畸变—晶界能—向低能量状态转化—晶粒