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超级结MOSFET在LED电源中的应用
Super Junction MOSFETs for LED Power Supply
陈桥梁
西安龙腾新能源科技发展有限公司
• Single Stage Flyback中MOSFET雪崩情况分析
• 采用LLC resonant converter 中MOSFET特性评估
抗雪崩能力
雪崩电流IAR :下图ID峰值
单次雪崩能量EAS ：一次性雪崩期间所能承受的能量，
以Tch=150℃ 为极限
重复雪崩能量EAR ：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量，
以Tch=150℃ 为极限
抗雪崩能力测试电路
3
TJM–TC = PDM*ZθJC (t)
Power MOSFET Cross Section Under Avalanche
V =650V V =650V
AV AV
T =25℃ T =25℃
starting starting
Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature For
Various Drain Currents
700mA/32W LED PS
Single stage Flyback
Surge test
700mA/32W LED PS
Single stage Flyback
LSD11N70浪涌测试波形
输入电压:230Vac/50Hz,输出：32W
通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/每格);
通道2: Z2 母线电压(绿色, 200V/每格);
通道3:MOS 漏源电流(粉色, 5A/每格);
Time: 5μs/每格
漏源电压=820V 浪涌电压1400V/90º测试波形
母线电压=883V
700mA/32W LED PS
Single stage Flyback
LSD11N70浪涌测试波形
输入电压:230Vac/50Hz,输出：32W
通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/每格);
通道2: Z2 母线电压(绿色, 200V/每格);
通道3:MOS 漏源电流(粉色, 5A/每格);
Time: 5μs/每格
漏源电压=848V 浪涌电压1400V/90º测试波形
母线电压=801V 最大漏源电流=5.8A
700
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