电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-9-2 半导体磁阻器件.pptxVIP

9-2 半导体磁阻传感器 第九章 磁敏传感器件 主要内容 9-2-1 磁阻效应 9-2-2 磁阻元件的设计与制作 9-2-3 磁敏传感器与应用 9-2-1 磁阻效应 是一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件，也称MR元件。它的理论基础为磁阻效应。 （一）磁阻效应 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 磁阻元件类似霍尔元件，但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。 9-2-1 磁阻效应 不考虑半导体样片形状和结构影响。将通电的半导体置于均匀磁场中，运动的载流子由于受到洛伦兹力的作用而发生偏转，从而使电流通过的距离变长，载流子受到的散射几率增大，迁移率下降，导致沿外加电场方向的电流密度减小，电阻率增加，这种现象称为物理磁阻效应。 当电流和磁场的方向垂直时，称为横向磁阻效应；当磁感强度方向与电流方向平行时，则称为纵向磁阻效应。 1 物理磁阻效应 9-2-1 磁阻效应 9-2-1 磁阻效应 在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得材料的电阻率增加。若某种金属或半导体材料的两种载流子 (电子和空穴 )的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载流子引起电阻率变化 ,它