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制作LNA‐BFG425W
遵循ATF54143低噪声放大电路制作步骤
胡跃
2011‐8‐8
《ADS2008 射频电路设计与仿真实例》第五章“低噪声放大电路设计”使用高电子迁移
率晶体管(PHEMT)ATF54143 设计仿真低噪声放大电路，本文使用BFG425W 设计并仿真
低噪声放大电路，最终仿真结果为在2.45GHz 时，S11=‐11.834，S22=‐8.031，S21=15.881，
S12=‐26.311，K=1.374，NFmin=3.387。
1. 设计、仿真低噪声放大器的目的 3
2. 设计、仿真步骤依据 3
3. 本次设计、仿真所使用的芯片“BFG425W” 3
4. LNA 设计参数 3
5. 设计仿真结果简介 3
6. 具体的设计、仿真步骤 5
1) BFG425W 模型下载与安装 5
2) 直流分析DC Tracing 6
3) 偏置电路的设计 11
4) 稳定性分析 14
5) 噪声系数圆和输入匹配 17
6) 最大增益的输出匹配 26
7) 版图的设计 33
8) 原理图‐版图联合仿真（co‐simulation ） 33
1. 设计、仿真低噪声放大器的目的
为确保正确理解与实际掌握PA 放大电路的设计、仿真技术，并为日后的设计、仿真工
作提供依据，特撰写此文。
2. 设计、仿真步骤依据
根据《ADS2008 射频电路设计与仿真实例》第五章“低噪声放大电路设计”设计 LNA
电路，实例中所使用的芯片为Avago 公司的高电子迁移率晶体管（PHEMT）ATF54143 ，其具
体的Technical Data 可见本文附录。功率管ATF54143 的简要参数如下所示：
为了完整的实践实例中的步骤，在重复实例后，特选择与其简要参数相接近的另一款功
率管BFG425W。
3. 本次设计、仿真所使用的芯片“BFG425W”
“BFG425W”具体技术参数附在文后的附录里。
4. LNA 设计参数
因为是初次设计LNA，所以无法从BFG425W”的技术参数预测LNA 的性能。
5. 设计仿真结果简介
最终电路原理图如下所示：
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