《半导体物理与器件》讲义(2).pdfVIP

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2021-11-01 发布于安徽
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《半导体物理与器件》讲义(2).pdf

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合肥工业大学《半导体物理学》讲义材料物理系周如龙 2018 第一章半导体中的电子状态 I 目录第一章半导体中的电子状态1 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1 1.1.1 晶体与晶格结构 1 1.1.2 常见晶格结构3 1.1.3 固体的结合方式3 1.2 半导体中的电子状态和能带 6 1.2.1 原子能级和晶体能带6 1.2.2 布里渊区和能带9 1.2.3 导体、半导体、绝缘体能带 14 1.3 半导体中电子的运动 16 1.3.1 半导体中的E—k 关系 16 1.3.2 半导体中电子的平均速度 16 1.3.3 半导体中电子的加速度 17 1.3.4、有效质量的意义 17 1.4 本征半导体的导电机构空穴 18 1.4.1 能带电子对电导的贡献 18 1.4.2 本征半导体的导电机构 19 1.5 回旋共振 21 1.5.1 半导体k 空间等能面21 1.5.2 回旋共振21 1.6 硅和锗的能带结构 24 半导体物理讲义第一章半导体中的电子状态 II 1.6.1 硅、锗导带结构24 1.6.2 硅和锗的价带结构27 1.7 化合物半导体的能带结构 28 第二章半导体中杂质和缺陷能级29 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 29 2.1.1 替位式杂质间隙式杂质29 2.1.2 施主杂质施主能级30 2.1.3 受主杂质受主能级32 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算33 2.1.5 杂质的补偿作用34 2.1.6 深能级杂质35 2.2 III-V 族化合物中的杂质能级 36 2.2.1 II 族元素掺杂36 2.2.2 VI 族元素掺杂36 2.2.3 I 族元素掺杂37 2.2.4 IV 族元素掺杂37 2.2.5 III 、V 族元素掺杂——等电子陷阱38 2.2.6 过渡族元素掺杂38 2.3 缺陷、位错能级 39 2.3.1 点缺陷39 2.3.2 位错39 第三章半导体中载流子的统计分布41 3.1 状态密度 41 3.1.1 导带电子状态密度41 半导体物理讲义第一章半导体中的电子状态 III 3.1.2 价带顶空穴能态密度42 3.2 费米能级和载流子的统计分布 43 3.2.1 费米分布函数43 3.2.2 玻尔兹曼分布函数44 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度45 3.3 本征半导