2024届高考一轮复习化学课件（新教材鲁科版宁陕）：物质结构与性质选择题专练.pptVIP

必备知识整合 关键能力提升 易错辨析 真题演练 课时精练 热点强化15 物质结构与性质选择题专练 1.(2023·上海模拟)下列化学用语表达正确的是 A.基态硫原子的轨道表示式： B.H2S的电子式： C.SO3的VSEPR模型： D.SO2分子的空间填充模型： √ 硫原子的核外电子总数为16，基态硫原子的电子排布式为1s22s22p63s23p4，基态S原子的轨道表示式为 ，故A错误； H2S为共价化合物，其电子式为 ，故B错误； SO3分子中S原子的价电子对数为3＋ ＝3，无孤电子对，其VSEPR模型为 ，故C正确； SO2中S的价电子对数为2＋ ＝3，故其空间结构为角形，其空间填充模型 为 ，故D错误。 2.(2022·江苏，5)下列说法正确的是 A.金刚石与石墨烯中的C—C—C夹角都为120° B.SiH4、SiCl4都是由极性键构成的非极性分子 C.锗原子(32Ge)基态核外电子排布式为4s24p2 D.ⅣA族元素单质的晶体类型相同 √ 金刚石中的碳原子为正四面体结构，C—C—C夹角为109°28′，故A错误；SiH4的化学键为Si—H，SiCl4的化学键为Si—Cl，均为极性键，均为正四面体，正负电荷重心重合，均为非极性分子，故B正确； 锗原子(32Ge)基态核外电子排布式为[Ar]3d104s24p2，故C错误； ⅣA族元素中的碳元素形成的石墨为混合型晶体，而硅形成的晶体硅为共价晶体，故D错误。 3.(2022·山东，5)AlN、GaN属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相似，晶体中只存在N—Al、N—Ga。下列说法错误的是 A.GaN的熔点高于AlN B.晶体中所有化学键均为极性键 C.晶体中所有原子均采取sp3杂化 D.晶体中所有原子的配位数均相同 √ Al和Ga均为第ⅢA族元素，N属于第ⅤA族元素，AlN、GaN的成键结构与金刚石相似，则其均为共价晶体，由于Al原子的半径小于Ga，N—Al的键长小于N—Ga的键长，则N—Al的键能较大，键能越大则其对应的共价晶体的熔点越高，故GaN的熔点低于AlN，A说法错误； 不同元素的原子之间形成的共价键为极性键，故两种晶体中所有化学键均为极性键，B说法正确； 金刚石中每个C原子形成4个共价键(即C原子的价电子对数为4)，C原子无孤电子对，故C原子均采取sp3杂化，C原子的配位数是4，由于AlN、GaN与金刚石结构相似，则其晶体中所有原子均采取sp3杂化，所有原子的配位数也均为4，C、D说法正确。 4.(2022·辽宁，5)短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序数依次增大。基态X、Z、Q原子均有两个单电子，W简单离子在同周期离子中半径最小，Q与Z同主族。下列说法错误的是 A.X能与多种元素形成共价键 B.简单氢化物沸点：ZQ C.第一电离能：YZ D.电负性：WZ √ 短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序数依次增大，W简单离子在同周期离子中半径最小，说明W为第3周期元素Al。短周期元素的基态原子中有两个单电子，可分类讨论：①为第2周期元素时，最外层电子排布为2s22p2或2s22p4，即C或O；②为第3周期元素时，最外层电子排布为3s23p2或3s23p4，即Si或S。Q与Z同主族，结合原子序数大小关系可知，则X、Z、Q分别为C、O和S，则Y为N。X为C，能与多种元素(H、O、N等)形成共价键，A正确； Z和Q形成的简单氢化物分别为H2O和H2S，由于H2O分子间能形成氢键，故H2O的沸点高于H2S，B错误； Y为N，Z为O，N的最外层p轨道电子为半充满结构，比较稳定，故其第一电离能比O大，C正确； W为Al，Z为O，O的电负性更大，D正确。 5.(2022·丹东市模拟)萝卜硫素是具有美容效果的天然产物，其结构如图所示，该物质由五种短周期元素构成，其中W、X、Y、Z的原子序数依次增大，Y、Z原子核外最外层电子数相等，下列说法错误的是 A.第一电离能：XYZ B.简单离子半径：ZXY C.W、X与氢原子可形成直线形化合物 D.W、X、Y分别形成的简单氢化物的熔、沸点在同主族元素中均为最高 √ 通过结构可知，萝卜硫素含H、C，萝卜硫素由五种短周 期元素构成，则W、X、Y、Z中有一种是C，还有一种是 S；W、X、Y、Z的原子序数依次增大，Y、Z原子核外最 外层电子数相等，结合结构简式中的成键数目可知：X为N，Y为O，Z为S，W为C。同一周期从左到右，元素的第一电离能呈增大的趋势，其中第ⅡA族和第