第二章半导体光电材料.ppt

同集成电路产业对半导体材料的依赖一样，光电材料是整个光电产业的基础和先导。主要的光电材料系统包括III-V族的化合物半导体光电材料、有机半导体光电材料、无机晶体和石英玻璃等。III-V族的元素可以任意组合形成许多化合物半导体材料，例如AlGaAs、InGaAsN等。晶格常数、禁带宽度和吸收/发射光波长是决定化合物半导体材料光电属性的3个最重要的参数。目前，大多数商用半导体光电器件由GaAs基,InP基和GaN基化合物半导体材料系统制成，广泛用于光通信网络、光电显示、光电存储、光电转换和光电探测等领域。第二章半导体光电材料2.1半导体光电材料与半导体电子或光电子技术有关的元素列表元素半导体：四价元素硅和锗——最常用，但其是间接禁带材料，发光效率低。不适合于做发光器件，可用于做光检测器二元化合物半导体：——GaAs，价带极大值和导带极小值对应同一k值的半导体直接禁带材料，发光效率高。三元化合物半导体：例如AlxGa1-xAs，与GaAs衬底晶格匹配得很好四元化合物半导体：例如In1-xGaxAs1-yPy其中满足条件y=2.16(1-x)的In1-xGaxAs1-yPy与InP衬底晶格匹配得很好，是目前光纤通信光源的主要材料由II、VI族元素组成的化合物半导体在制作波长短于0.5微米以及长于5微米的发光器件时很有用.GaN、AlN、InN:宽带蓝光半导体发光器件主要有两种：一为Ⅱ—Ⅵ族，如ZnMgSTe/GaAs,3M和SONY公司工作最为出色，但目前寿命仍极短，室温连续工作寿命仅约300小时；二为GaN材料，它的困难在于没有合适的衬底，并且容易造成晶格失配，但是这种材料非常结实，即使有缺陷也不发展。由于存在严重的晶格失配问题，人们认为这种材料没有前途，各大公司研究一段时间后纷纷放弃了这种材料。但是日亚(Nichia)公司的中村修二(ShujiNakamura)，坚持研究独辟蹊径，出人意料地取得了成功，使用GaN材料制作出长寿命高亮度的蓝光LED、LD。 2.2异质结构所谓同质结，是指由单一半导体材料组成的PN结。这种结构LD的漏电流非常大，阈值电流密度非常高，约为1万A/cm2量级，通常必须工作在液氮温度下(77K)。由同一种半导体材料制成的pn结为同质结构。不同的半导体材料构成的晶体称为异质结构。指两种不同质地的晶体相接的界面，异质结构是指含有异质结的二层或二层以上的器件结构。分类：突变异质结（MOCVD、MBE）、缓变异质结同型异质结、异型异质结一个GaAs激光器的基本结构：这是一个异质结半导体激光器，其PN结是由GaAs和GaAlAs两种不同材料构成。掺Si的n型Ga1-xAlxAs作为下限制层，厚度约为1－2?m，起保护有源区和限制载流子和光的作用，掺杂浓度为；有源层为本征层GaAs不掺杂，如果不纯则可能降低发光效率；有源层之上是通过掺杂Be，Zn，Ge，Mg等杂质的p型Ga1-xAlxAs上限制层。由于金属和半导体之间有肖特基势场，导通电压较高，所以一般在上限制层之上加一重掺杂层(如图中的p+GaAs)，从而消除肖特基势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻。异质结则是由不同半导体材料组成的PN结，一般可分为单异质结(singleheterostructure,SH)和双异质结(doublehetero-structure,DH)。由于DH结构对载流子的限制最好，目前LD基本上都采用DH结构。双异质结的作用如同一个水库，限制有源区载流子逃出，因而提高了有源区电子和空穴的浓度，并且可根据需要改变容量，使载流子浓度很容易地达到，从而使LD阈值电流密度下降，目前最好的阈值电流密度达到50A/cm2(注意早期的同质结激光器1万A/cm2水平)。除了对载流子的限制外，异质结还能形成对光的限制，折射率分布如下图所示。由于有源区折射率高，光也被束缚在有源区里面。晶格常数：半导体光(电)子器件一般要求材料之间形成理想界面，微观上有完整的原子键合。两种材料在晶体结构上应尽量相近或相同，晶格常数应尽量匹配，否则在界面就会产生悬挂键，构成失配位错。在异质结构中，界面的失配位错会导致成核、增值并向晶体内部的传播，对材料的可靠性造成严重的威胁。此外，由悬挂键所造成的界面态，可能起到载流子陷阱或复