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;第二章集成电路工艺基础(续);2.3集成电路中的元件;;;2.集成NPN晶体管的有源寄生效应;VBC0(VBE0),VSC0(VBC0)
寄生PNP晶体管正向有源导通。有电流流向衬底,影响NPN晶体管的正常工作。;(3)减小有源寄生效应的措施;3.集成NPN晶体管的无源寄生效应;(1)集成NPN晶体管中的寄生电阻;减小集电极串联电阻措施:
n+埋层电阻较小,旁路外延层电阻
穿透磷扩散,形成欧姆接触
薄外延
图形结构和尺寸:加宽集电极引线孔的宽度;③基区电阻rB
集成晶体管和分立晶体管一样,从基极接触孔到有效基区之间存在相当大的串联电阻,由于集成晶体管的各电极都由表面引出,所以其基极电流平行于发射结和集电结之间,是横向流动的。
rB=rB1+rB2=R3+R2+R1
基极串联电阻引起
发射极电流集边效应,
还影响高频增益和
噪声性能。;(2)集成NPN晶体管中的寄生电容;4.图形尺寸与晶体管特性???数的关系;图形尺寸与晶体管特性参数的关系(续);5.减小无源寄生效应的措施;6.集成NPN晶体管常用图形及特点;(2)双基极条形
与单基极条形相比:
基极串联电阻小
电流容量大
面积大
寄生电容大
;(3)双基极双集电极形
与双基极条形相比:
集电极串联电阻小
面积大
寄生电容大;(4)双射极双集电极形
与双基极双集电极形相比:
集电极串联电阻小
面积大
寄生电容大;(5)马蹄形(U型)
电流容量大
集电极串联电阻小
基极串联电阻小
面积大
寄生电容大;(6)梳状
具有大的电流容量;(1)提高NPN管β值的途径
①提高发射区浓度(重掺杂理论)
②降低基区浓度(同时采用高阻外延)
③减薄基区宽度
(加深发射结深度或
减小集电结的深度)
;(2)扩散穿通型超增益管
采用后两种途径,形成两种结构
双磷扩散结构:增加一次N+发射区扩散
发射区结深更深,基区宽度变小,内基区杂质浓度变低,增益大大提高
双硼扩散结构:增加一次P+基区扩散
比普通管基区扩散的结深浅,浓度低,增益大大提高
基区接触孔处及外基区周围与普通管基区同时进行扩散,,以减小基极串联电阻;(3)扩散穿通型超增益管的特点
①采用圆形发射区,以获得最小周长
??应用时BC结偏置限制在0V左右,以减小基区宽度调制的影响
;作业;1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同?
2.有源寄生效应有何影响?如何减小或消除?
3.无源寄生有何影响?
4.NPN管图形尺寸与其主要参数之间有什么关系?
5.超增益管BC结的偏压为什么要限制在0伏左右?;二)集成电路中的PNP晶体管;1.横向PNP管的结构和有源寄生效应;(1)横向PNP管工作在正向工作区;(2)横向PNP管工作在反向工作区;(3)横向PNP管工作在饱和区;电流增益β低,一般NPN管的β=100—500,而横向PNP的β=10—50。
特征频率fT低,受WbL和寄生PNP影响。
减小寄生效应的措施:
采用N+埋层:使纵向寄生PNP管的基区宽度增大;减小了寄生PNP管的基区电阻,使其注入效率降低。
寄生PNP的影响,只有从发射区侧面注入的空穴才对横向PNP管的电流增益有贡献。减小发射区面积与周长之比,将发射区设计为正方形。;(5)横向PNP管常用图形;横向PNP管常用图形(续);纵向结构,故又称为纵向PNP晶体管;
各结面较平坦,发射区面积可以做得很大,因此,可以在较大电流下工作;
衬底(集电极)电位固定(最低电位),因此,只能用作集电极接最低电位的射极跟随器;
因为衬底作为集电区,所以不存在有源寄生,不用加N+埋层;
因为基区是外延层,而外延层电阻率一般较大,因此,基区电阻较大。基区(外延层)上最好覆盖N+扩散层。;CMOS工艺中的衬底PNP管;作业;思考题;三)集成电路中的MOS晶体管;2.MOS晶体管常用图形;完整的MOS管图形;体效应;;消除场区寄生MOS管效应的措施;;消除寄生双极晶体管影响的措施;;必要条件:
1.两个发射结均正偏
2.βnpn*βpnp1
3.IPowerIH;版图设计上消除闩锁效应措施:
1.加大MOS管源漏区距阱边界的距离,减小寄生管的β值,使βnpn*βpnp1。
2.充分保证P衬底接最低电位,N阱接最高电位,减小RS和RW,使发射结不正偏导通;6.小尺寸MOS器件存在的问题(二阶效应);多晶硅腐蚀误差及源漏区注入的侧向扩散使沟道长度L减小;小尺寸MOS器件存在的问题(续);;小尺寸MOS器件存在的问题(续);7.按比例缩小理论;采用恒电场CE缩减方案,缩减因子为α时,各电路指标变化。;恒电场CE缩减方案;作业;四)集成电路中的二极管;1.一般集成二极管
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