原创力文档- 1、本文档共24页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
---第九章：化学机械抛光9.1引言硅片的表面起伏问题在IC工艺技术发展过程中，遇到了硅片的表面起伏（即不平坦）这个非常严重的问题，它使亚微米光刻无法进行，表面起伏使光刻胶的厚度不均、超出光刻机的焦深范围，无法实现亚微米线宽的图形转移。硅片的表面起伏问题双层金属IC的表面起伏平坦化的定性说明1）未平坦化2）平滑：台阶角度圆滑和侧壁倾斜，台阶高度未减3）部分平坦化：平滑且台阶高度局部减小平坦化的定性说明4）局部平坦化：完全填充较小缝隙或局部区域。相对于平整区域的总台阶高度未显著减小5）全局平坦化：局部平坦化且整个Si片表面总台阶高度显著减小9.2传统的平坦化技术传统的平坦化技术1.反刻2.玻璃回流3.旋涂膜层1.反刻（回蚀）在表面起伏的硅片上涂上一层光刻胶或其它材料做为平坦化的牺牲层，然后利用比牺牲层快的刻蚀速率刻蚀高处部分的过程称为反刻（也称为回蚀）。反刻能达到局部平坦化。1.反刻（回蚀）反刻平坦化2.玻璃回流玻璃回流是利用硼磷硅玻璃（BPSG）在高温（通常为850℃左右）的流动性进行的平坦化过程。玻璃回流只能达到部分平坦化，它不能满足亚微米IC中的多层金属布线技术的要求。2.玻璃回流BPSG回流平坦化3.旋涂膜层通过在表面起伏的硅片上旋涂液体层间介质材料获得平坦化的技术。旋涂膜层技术在0.35μm及以上器件的制造中应用普遍。3.旋涂膜层9.3化学机械平坦化化学机械平坦化CMP（ChemicalMechanicalPlanarization）也称为化学机械抛光CMP（ChemicalMechanicalPolish）是通过化学反应和机械研磨相结合的方法对表面起伏的硅片进行平坦化的过程。20世纪80年代后期，IBM开发了CMP用于半导体硅片平坦化。20世纪90年代中期，CMP成为多层金属化深亚微米集成电路工艺的主要平坦化技术。没有CMP就没有ULSI芯片。CMP是表面全局平坦化技术。CMP系统属于超精密设备，CMP技术平坦化后的台阶高度可控制到50?左右。CMP的原理图CMP的机理表面材料与磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，这一表面层通过磨料中的研磨剂和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。CMP的微观作用是化学和机械作用的结合。CMP技术的优点1.全局平坦化，台阶高度可控制到50?左右2.平坦化不同的材料3.平坦化多层材料4.减小严重表面起伏5.能配合制作金属图形（大马士革工艺）6.改善金属台阶覆盖7.减少缺陷8.不使用危险气体-
文档评论（0）