原创力文档- 1、本文档共2页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
新成果展示：基于Metal/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器的设计与制备
基于先进的TCAD半导体仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队设计了一种具有Ni/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器。该探测器分为Ga2O3吸收层和GaN传输层，如图1（a）和1（b）所示，在无光照情况下，Ga2O3吸收层中的电子浓度被Ni/Ga2O3异质结的内建电场耗尽；如图1（b）和1（d）所示，在有紫外光照情况下，Ga2O3吸收层中产生的光生电子被内建电场推入电子迁移率更高的GaN传输层中进行输运，提高了光生载流子的传输效率。
图1（a）无紫外光照情况下和（c）有紫外光照情况下的电子浓度二维分布图；（b）无紫外光照情况下和（d）有紫外光照情况下的Ga2O3/GaN异质结的能带结构图
技术团队与北京铭镓半导体有限公司共同开展了相关实验研究。如图2所示，所制备的具有Ni/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器的实验表征结果与仿真结果高度吻合，并且该器件展现了高达106的光暗电流比。
图2（a）实验测试的光暗电流密度和（b）仿真的光暗电流密度，（c）在不同光强下的实验测试和仿真的电流密度
该研究成果最近被光学领域权威SCI期刊OpticsLetters（47卷6期1561-1564页）收录，文章链接：/10.1364/OL.454717。
明“芯”理??放“芯”行
天津赛米卡尔科技有限公司是国内独立从事半导体材料设计、
半导体器件工艺设计、半导体器件设计的第三方分析机构
助力国内半导体芯片设计行业创新发展。
文档评论（0）