发光二极管的制作方法及发光二极管.pdfVIP

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2024-04-20 发布于四川
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发光二极管的制作方法及发光二极管.pdf

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本发明公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成的缓冲层、n型GaN层、有源区、AlGaN阻挡层以及p型GaN层；刻蚀所述外延结构至暴露所述n型GaN层，形成侧壁均为GaN晶体M面的台面结构；采用四甲基氢氧化铵溶液对所述台面结构的侧壁进行腐蚀；钝化处理并在所述外延结构上形成电极。本发明的发光二极管的制作方法及发光二极管，随着尺寸的减小，效率能够提升，因而能够克服尺寸效应，为制造更加高效的、更小尺寸的微型发光二极管提供了新

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117913187A

(43)申请公布日2024.04.19

(21)申请号202410074888.7

(22)申请日2024.01.18

(71)申请人中国科学院苏州纳

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