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一种用于生产硅单晶体的工艺,包括:在悬浮区装置中安装硅进料棒,进料棒具有不小于230mm且不大于270mm的直径,安装具有底部边缘和比进料棒的直径大不小于30mm且不大于50mm的量的内径的第一空心圆柱体,安装具有顶部边缘和比单晶体的目标直径大不小于20mm且不大于60mm的量的内径的第二空心圆柱体,提拉单晶体的具有不小于290mm且不大于310mm的目标直径的圆柱形部分,其中进料棒在熔化前沿处形成外部熔化边缘,并且单晶棒在生长侧形成结晶边缘,其中提拉速度不小于1.3mm/min且不大于1.5m
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117916410A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202280059751.3(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
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