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附录A：国内外半导体器件命名方法

1.中国半导体器件命名法

按照国家标准GB-249-74规定的命名方法如表A-1。

表A-1国产晶体管型号组成部分的符号及其意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

用数字表示器件的电极数目

用汉语拼音字母表示器件材料与极性

用汉语拼音字母表示器件类型

用数字表示器件序号

用字母表示器件规格号

符号

意义

符号

意义

符号

意义

2

二极管

A

B

C

D

N型：锗材料

P型：锗材料

N型：硅材料

P型：硅材料

P

V

W

C

Z

L

S

N

U

K

X

G

D

A

T

Y

B

J

CS

BT

FH

PIN

JG

普通管

微波管

稳压管

参量管

整流管

整流堆

隧道管

阻尼管

光电管

开头管

低频小功率管

（fa<3MHz;Pc<1W）

高频小功率管

（fc<3MHz;Pc<1W)

低频大功率管

（fD<3MHz;Pc≥1W）

高频大功率管

(fa≥3MHz,Pc≥1W)

半导体闸流管

体效应管

雪崩管

阶跃恢复管

场效应管

特殊器件

复合管

PIN型管

激光器件

3

三极管

A

B

C

D

E

PNP型：锗材料

NPN型：锗材料

PNP型：硅材料

NPN型：硅材料

化合物材料

示例1：锗PNP型高频小功率三极管

3AG11C

三极管规格号

序号

PNP型，锗材料

高频小功率

2.日本半导体器件命名法

日本晶体管型号均按日本工业标准JIS—C—7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。

日本半导体分立器件型号由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及其意义如表A-2所示。

日本半导体分立器件的型号，除上述5个基本部分外，有时还附加有后缀字母及符号，以便进一步说明该器件的特点。这些字母、符号和它们所代表的意义，往往是各公司自己规定的。

后缀的第一个字母，一般是说明器件特定用途的。常见的有以下几种：

M：表示该器件符合日本防卫厅海上自卫参谋部的有关标准。

N：表示该器件符合日本广播协会（NHK）的有关标准。

H：是日立公司专门为通信工业制造的半导体器件。

K：是日立公司专门为通信工业制造的半导体器件，并用采用塑封外壳。

Z：是松下公司专门为通信设备制造的高可靠性器件。

G：是东芝公司为通信设备制造的器件。

S：是三洋公司为通信设备制造的器件。

后缀的第二个字母常用来作为器件的某个参数的分档标志。例如，日立公司生产的一些半导体器件，是用A、B、C、D等标志说明该器件的β值分档情况。

表A-2 日本晶体管型号组成部分的符号及其意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

第五部分

用数字表示器件有效电极数目或类型

日本电子工业协会（JEIA）注册标志

用字母表示器件使用材料极性和类型

器件在日本电子工业协会（JEIA）登记号

同一型号的改进型产品标志

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

0

1

2

3

n-1

光电二极管或三极管及其组合管

二极管

三极管或具有三个电极的其他器件

具有四个有效电极的器件

.

.

.

具有n个有效电极的器件

S

已在日本电子工业协会（JEIA）注册的半导体器件

A

B

C

D

F

G

J

K

M

PNP：高频晶体管

NPN：低频晶体管

PNP：高频晶体管

NPN：低频晶体管

P：控制可控硅

N：基极单结晶体管

P：沟道场效应管

N：沟道场效应管

双向可控硅

多

位

数

字

该器件在日本电子工业协会（JEIA）的登记号，性能相同而厂家不同的生产的器件可使用同一个登记号

A

B

C

D

.

.

.

.

.

表示这一器件是原型号的改进产品

3.欧洲晶体管型号命名法

前西德、法国、意大利、荷兰等参加欧洲共同市场的国家和一些东欧诸国如匈牙利、罗马尼亚、波兰等国，大都使用国际电子联合的标准半导体分立器件型号命名方法对晶体管型号命名。这种命名法由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号及其意义如表11-19所示。

表A-3 欧洲晶体管型号组成部分的符号及其意义

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

用数字表示器件使用的材料

用字母表示器件的类型及主要特征

用数字或字母表示登记号

用字母表示同一器件进行分档

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

符号

意义

A

器件使用禁带为0.6~1.0电子伏特的半导体材料如锗料

A