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华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考

试题库2023年

画小信号等效电路时，恒定电流源视为。

答案:

开路

2.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。

答案:

增益

3.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。

答案:

输出摆幅

4.题1-1-1中国高端芯片联盟正式成立时间是：。

答案:

年7月

5.题1-1-2如下不是集成电路产业特性的是：。

答案:

低风险

6.题1-1-3摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会

增加一倍，性能也将提升一倍。

7.MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。

答案:

8.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。

答案:

电压控制电流源

9.下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。【图片】

答案:

饱和区

10.一个MOS管的本征增益表述错误的是。

答案:

与MOS管电流无关

11.工作在区的MOS管，其跨导是恒定值。

答案:

饱和

MOS。

答案:

栅极氧化层电容

13.MOS管的小信号输出电阻【图片】是由MOS管的效应产生的。

答案:

沟长调制

14.题1-1-4摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展

主线的是：。

答案:

15.题1-1-5单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。

答案:

VLSI

16.题1-1-6年发明了世界上第一个点接触型晶体管。

答案:

1947

17.题1-1-7年发明了世界上第一块集成电路。

答案:

1958

18.1-1-8FinFET等多种新结构器件的发明人是：。

答案:

胡正明

19.题1-1-9集成电路代工产业的缔造者：。

答案:

张忠谋

20.题1-1-10世界第一块集成电路发明者：。

答案:

基尔比

21.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。

答案:

夹断

22.MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是。

答案:

耗尽

23.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。

答案:

饱和区

24.PMOS导电。

答案:

空穴

25.载流子沟道在栅氧层下形成，源和漏之间导通“”。

答案:

反型层

26.下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。【图片】

答案:

饱和区

27.在NMOS中，若【图片】,会使阈值电压。

答案:

增大

28.题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越，输出电流越理想。

答案:

大

29.表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。

答案:

30.4-2-7、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。

答案:

很高

31.刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过

程，其基本目标是。

答案:

在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

32.以下不是影响刻蚀质量的主要因素是。

答案:

刻蚀槽的高度

33.集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直

图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)；；